一种氧化铟/氢氧化锡复合物、ITO靶材的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氧化铟/氢氧化锡复合物、ITO靶材的制备方法，属于ITO靶材领域。本发明专利技术提供了一种氧化铟/氢氧化锡复合物的制备方法，包括以下步骤：将纳米氧化铟、锡盐溶液、含氢氧根的无机碱和水混合进行沉淀反应，将所得沉淀反应产物进行造粒，得到所述氧化铟/氢氧化锡复合物；所述纳米氧化铟中铟元素与锡盐溶液中锡元素的摩尔比为20～100：1。本发明专利技术将纳米氧化铟采用直接引入的方式，避免了需要大量沉淀的操作，而微量掺杂的氢氧化锡采用沉淀的方式获得，可以保证氢氧化锡在氧化铟表面的均匀分布，使得其制备得到的ITO靶材中的氧化锡分布均匀，进而提高了ITO靶材致密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ito靶材领域，尤其涉及一种氧化铟/氢氧化锡复合物、ito靶材的制备方法。

技术介绍

1、氧化铟锡靶材(简称为ito)是一种重要的光电薄膜材料，其主要成分为in2o3和sno2，通过四价锡掺杂到氧化铟晶格中而增强其导电性。ito薄膜因其优良的透明、导电、隔热以及红外反射、雷达波透过等综合性能，在光电子、传感器、太阳能和宽频谱隐身等高
具有广泛应用前景。

2、现有技术中通常用纳米ito粉末制备ito靶材。常规的ito粉末制备工艺主要有两种，一种是共沉淀工艺，即把金属铟与锡共同溶解在硝酸溶液之中，然后通过加入碱液沉淀出请氢氧化铟和氢氧化锡，再经过老化、清洗、喷雾造粒、煅烧，最终获得纳米ito粉末；还有一种是球磨工艺，即把纳米氧化铟粉末与纳米氧化锡粉末直接通过湿法球磨的方式球磨混合。

3、上述两种工艺针对生产传统的ito靶材(氧化铟/氧化锡＝99/1～90/5wt％)已经广泛应用，尤其是通过湿法球磨工艺可以简单快速的获得纳米ito粉末，但两种工艺也有明显的缺点，尤其是针对氧化锡添加量为0.1～5wt％的微量掺杂纳米it本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化铟/氢氧化锡复合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含氢氧根的无机碱包括氨水。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述锡盐包括硝酸锡。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合时的原料还包括粘结剂和/或增塑剂。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述粘结剂的质量为所述氧化铟/氢氧化锡复合物中的氧化铟和氢氧化锡总质量的0.5～1％。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述增塑剂的质量为所述氧化铟/氢氧化锡复合物中的...

【技术特征摘要】

1.一种氧化铟/氢氧化锡复合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含氢氧根的无机碱包括氨水。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述锡盐包括硝酸锡。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合时的原料还包括粘结剂和/或增塑剂。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述粘结剂的质量为所述氧化铟/氢氧化锡复合物中的氧化铟和氢氧化锡总质量的0.5～1％。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述增塑剂的质量为所述氧化铟/氢氧化锡复合物中的氧化铟和氢氧化锡...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯庆龙，林智成，李强，蔡小勇，陈钦忠，
申请(专利权)人：福建阿石创新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：