【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁约束核聚变领域，具体涉及一种用于保护托卡马克装置内低杂波天线的穿管式保护限制器。
技术介绍
1、低杂波电流驱动是托卡马克装置上维持长脉冲等离子体和改善等离子体约束的重要手段。低杂波天线深入到托卡马克装置的内真空室，直接面对等离子体，为防止天线被高温等离子烧蚀，需要在天线两侧设置保护限制器。在等离子体放电过程中，保护限制器的外侧直接接触等离子体，其表面受到沿磁力线方向运动的等离子体的轰击，保护限制器的内侧受到低杂波引发的快电子沿磁力线方向的轰击，导致保护限制器出现热斑、烧蚀和溅射现象，因此很容易为芯部等离子带来杂质，引发等离子体辐射能量损失，导致等离子体不稳定甚至破裂。目前常用的石墨瓦式保护限制器、平板钎焊式限制器以及钨串式保护限制器均无法解决上述烧蚀、热斑和溅射难题，如目前east装置(全超导托卡马克核聚变实验装置)使用的石墨瓦式保护限制器、平板钎焊式限制器均出现了严重的烧蚀及溅射问题，钨串式保护限制器的最高点及靠近天线侧的最低圆角也出现严重烧蚀，严重阻碍了实验的正常进行。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于保护托卡马克装置内低杂波天线的穿管式保护限制器，其特征在于，穿管式保护限制器包括：单侧保护限制器总成、横板、屏蔽板及进出水管；
2.根据权利要求1所述的穿管式保护限制器，其特征在于，复合块的外层的材料为纯钨、掺杂钨、石墨、碳碳复合材料、铍、钼或钼合金中的一种，内层为纯铜，复合块的内层和外层焊接在一起。
3.根据权利要求1的穿管式保护限制器，其特征在于，所述铜管，其材料为纯铜、铜合金或纤维增强的铜或铜合金中的一种。
4.根据权利要求1的穿管式保护限制器，其特征在于，根据保护限制器纵向的安装空间，单侧保护限制器总成可包含或不...
【技术特征摘要】
1.一种用于保护托卡马克装置内低杂波天线的穿管式保护限制器，其特征在于，穿管式保护限制器包括：单侧保护限制器总成、横板、屏蔽板及进出水管；
2.根据权利要求1所述的穿管式保护限制器，其特征在于，复合块的外层的材料为纯钨、掺杂钨、石墨、碳碳复合材料、铍、钼或钼合金中的一种，内层为纯铜，复合块的内层和外层焊接在一起。
3.根据权利要求1的穿管式保护限制器，其特征在于，所述铜管，其材料为纯铜、铜合金或纤维增强的铜或铜合金中的一种。
4.根据权利要求1的穿管式保护限制器，其特征在于，根据保护限制器纵向的安装空间，单侧保护限制器总成可包含或不包含端水盒：若纵向安装空间允许，复合串可通过两端的反向圆弧与进出水管联接，若纵向安装空间不允许，在复合串两端安装端水盒，通过端水盒与进出水管联接。
5.根据权利要求4的穿管式保护限制器，其特征在于，端水盒面向等离子体的面...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷磊，訾鹏飞，丁锐，王兆亮，高彬富，姚达毛，韩乐，李磊，王茂，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：
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