【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路，具体涉及一种带psr增强的带隙基准电路。
技术介绍
1、带隙基准的原理也就是将一个正温度系数的电压和一个负温度系数的电压按照一定的比例相加，也就得到了一个几乎不随温度变化的基准电压。带隙基准电路作为模拟电路中的关键模块，被广泛应用于数字隔离器、dc/dc转换器、数模转换器等电路中，它的性能好坏直接影响到整个电路乃至芯片的性能，随着电子技术的发展，对于带隙基准源也有更高的要求，高psr(电源波纹抑制)特性就是其中一个发展方向。
2、因此，提供一种高psr性能的带隙基准电路是十分有必要的。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术提出了一种带psr增强的带隙基准电路，该电路包括：启动电路、源随器、自偏置单元、耐压单元、偏置电流提供单元和基准核心单元；启动电路连接源随器和自偏置单元；耐压单元连接自偏置单元和源随器；偏置电流提供单元连接自偏置单元和源随器；基准核心单元连接偏置电流提供单元、启动电路和源随器。
2、优选的，启动电路包括第一p...
【技术保护点】
1.一种带PSR增强的带隙基准电路，其特征在于，包括：启动电路、源随器、自偏置单元、耐压单元、偏置电流提供单元和基准核心单元；启动电路连接源随器和自偏置单元；耐压单元连接自偏置单元和源随器；偏置电流提供单元连接自偏置单元和源随器；基准核心单元连接偏置电流提供单元、启动电路和源随器。
2.根据权利要求1所述的一种带PSR增强的带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路包括第一PMOS管MP1、第一NMOS管MN1、第六PMOS管MP6、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第七NMOS管MN7、第一电容C1、第二电容C2、第五电容C5和第五电阻R5；第一P...
【技术特征摘要】
1.一种带psr增强的带隙基准电路，其特征在于，包括：启动电路、源随器、自偏置单元、耐压单元、偏置电流提供单元和基准核心单元；启动电路连接源随器和自偏置单元；耐压单元连接自偏置单元和源随器；偏置电流提供单元连接自偏置单元和源随器；基准核心单元连接偏置电流提供单元、启动电路和源随器。
2.根据权利要求1所述的一种带psr增强的带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路包括第一pmos管mp1、第一nmos管mn1、第六pmos管mp6、第三nmos管mn3、第四nmos管mn4、第七nmos管mn7、第一电容c1、第二电容c2、第五电容c5和第五电阻r5；第一pmos管mp1的源极连接电源，第一pmos管mp1的栅极连接自偏置单元，第一pmos管mp1的漏极连接第一nmos管mn1的漏极；第一nmos管mn1的栅极连接第一nmos管mn1的漏极、第一电容c1的一端和源随器，第一电容c1的另一端接地，第一nmos管mn1的源极连接第六pmos管mp6的源极；第六pmos管mp6的栅极连接第三nmos管mn3的源极、第五电容c5的一端和基准核心单元，第六pmos管mp6的漏极连接第三nmos管mn3的漏极、第四nmos管mn4的漏极、第三nmos管mn3的栅极、第四nmos管mn4的栅极和第二电容c2的一端；第六pmos管mp6的衬底连接源随器；第四nmos管mn4的源极连接第五电阻r5的一端，第五电阻r5的另一端连接第二电容c2的另一端和第七nmos管mn7的漏极；第七nmos管mn7的栅极连接基准核心单元，第七nmos管mn7的源极接地。
3.根据权利要求1所述的一种带psr增强的带隙基准电路，其特征在于，所述源随器为第二nmos管mn2，第二nmos管mn2的栅极连接启动电路，第二nmos管mn2的漏极连接电源，第二nmos管mn2的源极连接启动电路、耐压单元、偏置电流提供单元和基准核心单元。
4.根据权利要求1所述的一种带psr增强的带隙基准电路，其特征在于，所述自偏置单元包括第二pmos管mp2、第三pmos管mp3、第五nmos管mn5、第六nmos管mn6、第三电阻r3、第四电阻r4和第六电阻r6；第二pmos管mp2的源极和第三pmos管mp3的源极均连接电源，第二pmos管mp2的栅极连接第三pmos管mp3的栅极、第二pmos管mp2的漏极和启动电路；第三电阻r3的一端连接第二pmos管mp2的漏极，另一端连接第五nmos管mn5...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。