一种激励闭合器制造技术

技术编号:41623169 阅读:36 留言:0更新日期:2024-06-13 02:23
本发明专利技术涉及电力控制和电动汽车领域,具体指一种激励闭合器,包括壳体、激励源、活塞、导电结构、第一导体和第二导体,所述激励闭合器处于初始状态时,所述导电结构被限位在所述活塞与所述第一导体之间,所述第一导体和所述第二导体之间相互绝缘地设置,所述导电结构与所述第一导体之间导电接触;当所述激励源接收触发信号释放驱动力,所述活塞在所述驱动力作用下,驱动所述导电结构的一端穿过所述第一导体并与所述第二导体导电接触,通过所述导电结构使所述第一导体和所述第二导体导电连接。通过导电结构穿过第一导体和第二导体,提高闭合可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力控制和电动汽车领域,尤其是指电故障主回路切断后储能元部件的电能释放保护,具体指用于电能释放保护的激励闭合器


技术介绍

1、电动车电池包主回路中连接着诸多电器元件,包括电感、电容、电动机等,电池包主回路出现故障电流时,依靠热熔熔断器或激励器件可快速切断故障电流,将电池包与主回路断开。但电池包外部电路中的电感、电容、电动机等器件也储存一定的电能,如果不能及时释放,后续将给车辆操作及维修人员带来安全隐患。

2、目前电动车电池包储能部件残余电能的快速释放,已有相应的保护性器件激励闭合器。激励闭合器连接在电动车主回路上的接地支路上,与电池包形成并联关系。在电池包正常工作时,此接地支路处于常开状态,当主回路出现故障电流并被切断时,本专利技术的常开切换常闭电路的激励器件立即动作,快速接通接地支路,释放主回路中储能部件的电能,以确保后续操作安全。现有结构的激励闭合器,比如中国专利申请2021107188581公开的一种控制电路由常开切换常闭的激励保护装置,主要存在以下不足之处:导体接通方式为翻折式,可靠性不高,导体被驱动后翻折时还可能存在翻本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激励闭合器,其特征在于,包括壳体、激励源、活塞、导电结构、第一导体和第二导体,所述激励源和所述活塞依次设置于所述壳体中;所述第一导体和所述第二导体均穿设在所述壳体中,所述第一导体上和所述第二导体上位于所述壳体外部的一端均为连接端;所述激励闭合器处于初始状态时,所述导电结构被限位在所述活塞与所述第一导体之间,所述第一导体和所述第二导体之间相互绝缘地设置,所述导电结构与所述第一导体之间导电接触;当所述激励源接收触发信号释放驱动力,所述活塞在所述驱动力作用下,驱动所述导电结构的一端穿过所述第一导体并与所述第二导体导电接触,通过所述导电结构使所述第一导体和所述第二导体导电连接。

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【技术特征摘要】

1.一种激励闭合器,其特征在于,包括壳体、激励源、活塞、导电结构、第一导体和第二导体,所述激励源和所述活塞依次设置于所述壳体中;所述第一导体和所述第二导体均穿设在所述壳体中,所述第一导体上和所述第二导体上位于所述壳体外部的一端均为连接端;所述激励闭合器处于初始状态时,所述导电结构被限位在所述活塞与所述第一导体之间,所述第一导体和所述第二导体之间相互绝缘地设置,所述导电结构与所述第一导体之间导电接触;当所述激励源接收触发信号释放驱动力,所述活塞在所述驱动力作用下,驱动所述导电结构的一端穿过所述第一导体并与所述第二导体导电接触,通过所述导电结构使所述第一导体和所述第二导体导电连接。

2.根据权利要求1所述的激励闭合器,其特征在于,所述活塞、所述激励源之间形成密闭空腔。

3.根据权利要求1所述的激励闭合器,其特征在于,所述导电结构与所述第一导体过盈配合,或者,所述导电结构穿过所述第一导体的部分与所述第一导体之间呈卡勾设置。

4.根据权利要求1所述的激励闭合器,其特征在于,位于所述壳体中的所述第一导体部分为筒状结构,所述活塞和所述导电结构分别位于所述筒状结构内。

5.根据权利要求4所述的激励闭合器,其特征在于,所述筒状结构与所述壳体内壁紧密配合或过盈配合。

6.根据权利要求4所述的激励闭合器,其特征在于,所述导电结构与所述筒状结构可活动地导电接触。

7.根据权利要求4所述的激励闭合器,其特征在于,所述筒状结构内设置有对所述导电结构初始位置及位移距离限位的限位结构。

8.根据权利要求4所述的激励闭合器,其特征在于,位于所述激励源一侧的所述活塞一端开口形成空腔,在所述活塞初始位置时,所述激励源的释放驱动力的一端位于所述活塞的空腔中。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的激励闭合器,其特征在于,所述第一导体与所述第二导体之间设置有绝缘件;当所述活塞在所述驱动力作用下动作,驱动所述导电结构动作,所述导电结构依次穿过所述第一导体和所述绝缘件,并与所述第二导体导电接触,通过所述导电结构使得所述第一导体和所述第二导体导电连接。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的激励闭合器,其特征在于,所述导电结构的一端穿过所述第一导体后穿过所述第二导体,...

【专利技术属性】
技术研发人员:石晓光岳啸剑段少波
申请(专利权)人:西安中熔电气股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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