【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于开关器件结温控制，涉及一种考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法。
技术介绍
1、si igbt器件兼有大电流容量、低导通压降、开关速度较快、低驱动功耗和控制电路简单等优点，但也存在开关频率低、开关损耗高、结温范围低等缺点。sic mosfet由于其具有极低的导通电阻、更高的开关速度和开关频率，因此能实现电力电子装置电能转换效率和功率密度等性能的大幅提升，但其载流能力较差且成本昂贵。为将二者进行优势互补，将sic mosfet和si igbt并联组成si/sic混合器件，在其开关过程中采用最优开通与最优关断延时实现混合器件损耗最小化，降低器件成本的同时又提高装置功率密度。
2、有学者提出利用sic mosfet先于si igbt开通并晚于其关断的方式实现si igbt零电压开关，以此降低混合器件的损耗。在此基础上另有学者提出了基于可变关断延时的最小损耗开关模式，实现了变流器效率的最优化。但这种模式容易导致sic mosfet结温失衡，若负载工况发生较大范围的波动，如从轻载变为重载时，将使sic mo...
【技术保护点】
1.一种考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法，其特征在于，所述步骤S1中MOSFET与IGBT损耗的计算公式为：
3.根据权利要求1或2所述的一种考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法，其特征在于，所述步骤S1中器件结温的计算公式为：
4.根据权利要求1所述的一种考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法，其特征在于，所述步骤S2中变流器工况的判断方法为：
5.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法，其特征在于，所述步骤s1中mosfet与igbt损耗的计算公式为：
3.根据权利要求1或2所述的一种考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙柳，肖凡，涂春鸣，白丹，郭祺，肖标，韩硕，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：
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