【技术实现步骤摘要】
本申请涉及数据存储，例如涉及一种用于非易失存储器写入数据的方法、电子设备。
技术介绍
1、非易失存储器(nor flash)作为一种可以在不需要持续供电的情况下也能保存数据的存储器，在嵌入式设备等应用中被广泛采用。由于nor flash的非易失存储区域中的信息存储在浮栅中，需要在较长时间的高电压下才能让足够的载流子越过势垒进入浮栅中，以完成数据的写入。因此，在非易失存储器中写入数据所需要的时间较长，通常需要设置一个内嵌易失缓冲区，在执行写入操作时，先将外部数据缓存至易失缓冲区中，再启动内部高压将易失缓冲区中的数据写入非易失存储区。
2、相关技术中，对于主控而言，缓存器通常不可单独控制，因此在接受到写入指令的情况下，nor flash会将待写入数据缓存至易失缓冲区，写入指令发送后会紧跟启动内部高压，将易失缓冲区中的数据写入非易失存储区。
3、在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
4、在需要写入多条数据的情况下，每次写入一条数据，都需要进行一次内部高压的启动，并在非易失存储区的数据...
【技术保护点】
1.一种用于非易失存储器写入数据的方法，非易失存储器设置有易失缓冲区和非易失存储区，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取写入指令的指令属性，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将待写入数据缓存至易失缓冲区，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将待写入数据缓存至易失缓冲区，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将易失缓冲区中的数据写入非易失存储区，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
7.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种用于非易失存储器写入数据的方法，非易失存储器设置有易失缓冲区和非易失存储区，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取写入指令的指令属性，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将待写入数据缓存至易失缓冲区，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将待写入数据缓存至易失缓冲区，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将易失缓冲区中的数据写入非易失存储区，包括：
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘家齐，黄金煌，
申请(专利权)人：北京紫光青藤微系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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