均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法技术

本发明专利技术实施例公开的均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，包括步骤：S1、溶解金属镓，得到设定浓度的含镓溶液；S2、配置包含碳酸氢铵和氨水的混合溶液，其中，碳酸氢铵的摩尔浓度为1～2M，氨水的摩尔浓度为2～3M；S3、将步骤S2得到的混合溶液逐步滴加到步骤S1得到的含镓溶液中，至溶液pH为7.5～9.0，然后溶液在室温下老化；S4、老化后的溶液离心并洗涤，得到沉淀物；S5、步骤S4得到的沉淀物烘干，得到前驱体羟基氧化镓；S6、前驱体羟基氧化镓在710～920℃下烧结，得到球状氧化镓粉体。利用碳酸氢铵和氨水混合液作为沉淀剂，利用碳酸氢铵在沉淀过程中分解产生的氨气和二氧化碳气体，能够有效降低沉淀形成过程中的团聚情况，提高球状氧化镓粉体粒度的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体粉体材料，具体涉及均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法。

技术介绍

1、氧化镓(ga2o3)作为一种“超宽禁带半导体材料”而深受人们关注，超宽禁带半导体也属于“第四代半导体材料”与第三代半导体碳化硅(sic)、氮化镓(gan)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9ev，高于碳化硅的3.2ev和氮化镓的3.39ev，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓晶体化学性质稳定，不易被腐蚀，机械强度高，高温下性能稳定，有高的可见光和紫外的透明度，尤其是其在紫外和蓝光区域透明，这是传统的透明导电材料所不具备的，因此氧化镓单晶作为新一代透明导电材料，光电探测、功率器件、射频器件、气敏传感、信息储存和太阳能等领域有应用前景。

2、作为新型宽禁带半导体材料的氧化镓目前已知的晶相有八种，分别为α、β、γ、ε、δ五种稳定相，一种瞬态晶向k相，以及p、pmc21两种新发现的亚稳相。已知的五种稳定相在一定条件下均可相互转换，但其中由于β-ga2o3的热力学最稳定的结构而作为广泛研究的晶相，目前β-ga2o3研究多集中在单晶、多晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，其特征在于，步骤S1具体包括：

3.根据权利要求1所述的均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，其特征在于，步骤S3包括：

4.根据权利要求1所述的均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，其特征在于，步骤S4包括：

5.根据权利要求1所述的均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，其特征在于，步骤S5中，烘干温度设置为80～100℃，烘干时间为15～26小时。

6.根据权利要求5所述的均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，...

【技术特征摘要】

1.均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，其特征在于，步骤s1具体包括：

3.根据权利要求1所述的均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，其特征在于，步骤s3包括：

4.根据权利要求1所述的均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，其特征在于，步骤s4包括：

5.根据权利要求1所述的均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，其特征在于，步骤s5中，烘干温度设置为80～100℃，烘干时间为15～26小时。

6.根据权利要求5所述的均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，其特征在于，步骤s5还包括将烘...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰，岳康伟，任凤存，孙本双，何季麟，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：