【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电阻网络单元区域、内置自测试器、以及半导体器件。
技术介绍
1、在集成电路(ic)的生命周期中的不同时间测试集成电路(ic)的正常功能。此类测试常常基于向ic提供逻辑1和逻辑0的输入测试模式，然后将实际输出测试模式与预期/理想输出测试模式进行比较。
2、在制造期间，在对包含ic的晶圆进行管芯分离之前，使用一种称为晶圆探测器的期间来测试晶圆上的每个ic是否存在功能缺陷。为了交换测试模式，晶圆探测器将一组微型探针延伸到与晶圆上的ic接触，即晶圆探测器通过有线方式与ic通信(与无线通信相比)。
3、内置自测试器(bist)是一种用于ic自我测试的器件。示例包括用于存储器电路的第一类型bist、用于利用ic的内部扫描链的逻辑电路的第二类型bist等。
4、ic易受静电放电(esd)损坏。对金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的典型esd损坏包括结损坏、栅极氧化物损坏和金属化烧毁(开路情况的实例)等。结损坏通常表现为硬故障或软故障。硬故障对应于漏电流的显著增加，使得mosfet不再起作用。软故...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的内置自测试器BIST，其特征在于，所述内置自测试器BIST包括：
2.根据权利要求1所述的内置自测试器BIST，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的内置自测试器BIST，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的内置自测试器BIST，其特征在于，所述内置自测试器BIST还包括：
5.根据权利要求1所述的内置自测试器BIST，其特征在于，所述内置自测试器BIST还包括：
6.一种半导体器件的电阻网络单元区域，其特征在于，所述电阻网络单元区域包括：
7.根据权利要求6所述的电阻网络单...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的内置自测试器bist，其特征在于，所述内置自测试器bist包括：
2.根据权利要求1所述的内置自测试器bist，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的内置自测试器bist，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的内置自测试器bist，其特征在于，所述内置自测试器bist还包括：
5.根据权利要求1所述的内置自测试器bist，其特征在于，所述内置自测试器bist还包括：
6.一种半导体器件的电阻网络单元区域，其特征在于，所述电阻网络单元区域包括：
7.根据权利要求6所述的电阻网络单元区域，其特征在于：...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈焕能，陈柏廷，李绍宇，洪崇纶，陈村村，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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