一种脉冲电流源静电放电抑制电路制造技术

本技术公开了一种脉冲电流源静电放电抑制电路，包括R1、运放、C1、R2、MOSFET、R3、L1和负载，所述运放的同相输入端连接设于R1上，所述C1连接设于运放的同相输入端上，所述R2连接设于C1上，所述MOSFET的漏极连接设于R2上，所述MOSFET的栅极连接设于运放的输出端上，所述R3连接设于运放的反相输入端和MOSFET的源极上，所述R3的另一端接地，所述L1连接设于R2和MOSFET的漏极上，所述负载连接设于L1上。本技术涉及抑制电路设计领域，具体是指一种脉冲电流源静电放电抑制电路。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及抑制电路设计领域，具体是指一种脉冲电流源静电放电抑制电路。

技术介绍

1、功率半导体模块是广泛应用于变频器、电力电子装置等高功率电力系统的关键设备之一。为了保证功率半导体模块的性能和可靠性，不可或缺的是对其进行全面准确的测试；脉冲驱动电流源主要针对大功率半导体进行强电流测试，可根据测试线材或者测试模块电感量的不同，自动调节电流上升沿波形，以达到电流输出波形无抖动，无过冲。保证测试的准确性及测试元器件的安全性。

2、脉冲电流源模块示意图(图1)可看到工作模块的合作和流程；根据电感电压计算公式：u＝l*di/dt可知，当电感器件单位时间内电流出现变化，就会产生电压的变化，变化时间越短，电流越大产生电压的变化就会越陡峭和快速。但是在实际使用中输出负载或者输出电源线一定会带来大量的寄生电感，在强电流作用下，电压会产生过冲畸变，电压的快速变化也会导致电流波形出现畸变，电压的波动就是电流的因变量，电压的变化就是电流的变化。

3、模拟加入输出电感的电流值与电压值如图2，下方的为电压波形，上方为电流波形；模拟无电感输出的电流值与电压值如图本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种脉冲电流源静电放电抑制电路，其特征在于：包括R1、运放、C1、R2、MOSFET、R3、L1和负载，所述运放的同相输入端连接设于R1上，所述C1连接设于运放的同相输入端上，所述R2连接设于C1上，所述MOSFET的漏极连接设于R2上，所述MOSFET的栅极连接设于运放的输出端上，所述R3连接设于运放的反相输入端和MOSFET的源极上，所述R3的另一端接地，所述L1连接设于R2和MOSFET的漏极上，所述负载连接设于L1上。

【技术特征摘要】

1.一种脉冲电流源静电放电抑制电路，其特征在于：包括r1、运放、c1、r2、mosfet、r3、l1和负载，所述运放的同相输入端连接设于r1上，所述c1连接设于运放的同相输入端上，所述r2连接设于c1上，所述mosfe...

【专利技术属性】
技术研发人员：田振，吴梦绮，张德川，
申请(专利权)人：武汉海飞通光电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：