制备不同尺寸CdSe纳米晶体的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备不同尺寸CdSe纳米晶体的方法，包括S1采用超声分散法使硒在1‑十八烯中良好分散，得到Se‑SUS；S2得到Cd前驱体混合物鼓泡并将其加热；S3将Se‑SUS快速注入到三颈烧瓶中进行小尺寸CdSe纳米晶体生长；S4采用逐步生长法制备大尺寸CdSe纳米晶体，将油酸加入到S1制备好的Se‑SUS中得到Se‑OA‑SUS，将Se‑OA‑SUS分次快速注入到三颈烧瓶并继续生长10分钟；S5加入油胺并持续反应10分钟，对尺寸分布较差的CdSe纳米晶体进行尺寸稳定；S6原位纯化。本发明专利技术可为CdSe QDs在体内成像多色标记等应用提供借鉴。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米晶体制备领域，具体涉及一种基于配体调控和逐步生长法制备不同尺寸cdse纳米晶体的方法。

技术介绍

1、在过去几十年里，胶体半导体纳米晶体(量子点，qds)作为一种重要的发光材料其合成化学取得了显著的进展，特别是二元ii-vi半导体，由于胶体半导体纳米晶体具有独特的光物理特性，比如尺寸可调对称发射、优异的光吸收率和高光致发光量子产率，成为发光二极管、太阳能电池、生物医学标记、激光和单光子源等领域的重要材料。

2、cdse纳米晶体在卷烟生产领域同样具有广泛的应用。如，利用荧光纳米量子点作为标记信号，构建起油烟快速鉴别系统，将之应用在卷烟生产中时而出现的烟支油烟污染定位溯源问题上，可以取得十分突出的效果，不仅能快速、准确的判定漏油和隐患点位，还可实现多点位不同油品同时定位。

3、不过，想要制备不同尺寸高质量的cdse纳米晶体，却并非易事。

4、胶体半导体纳米晶体的光电特性主要受到尺寸、形状、晶体结构以及表面缺陷等因素的影响，这些因素主要通过前驱体的类型、表面活性剂的选择、前驱体的摩尔浓度和比例以及生长温度的选本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.制备不同尺寸CdSe纳米晶体的方法，其特征在于：包括

2.根据权利要求1所述的制备不同尺寸CdSe纳米晶体的方法，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的制备不同尺寸CdSe纳米晶体的方法，其特征在于：

【技术特征摘要】

1.制备不同尺寸cdse纳米晶体的方法，其特征在于：包括

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【专利技术属性】
技术研发人员：李自娟，吕萱，解民，陈娇娇，高杨，马燕玲，孙朔，赵海洋，王佳，武婷婷，冯子贤，李洁，杨晓华，乔宝合，赵力源，李素艳，
申请(专利权)人：张家口卷烟厂有限责任公司，
类型：发明
国别省市：