一种静电保护器件的制备方法和静电保护器件技术

本发明专利技术提供一种静电保护器件的制备方法和静电保护器件，涉及半导体技术领域，包括：于P型衬底上依次形成N型埋层和N型外延层；于N型外延层上的预定区域形成至少一组N型深阱区，并在位于一组N型深阱区之间的N型外延层上依次形成N型轻掺杂阱区和P型重掺杂阱区；分别于N型深阱区和P型重掺杂阱区上形成N型半导体区域，N型半导体区域、P型重掺杂阱区和N型轻掺杂阱区构成瞬态电压抑制管；于相邻的各N型半导体区域之间分别刻蚀形成隔离槽，隔离槽自N型外延层的上表面向下延伸至P型衬底中；依次沉积介质层和金属层，以制备得到静电保护器件。有益效果是具有高击穿电压和高触发电压，且导通电阻和钳位电压都更小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种静电保护器件的制备方法和静电保护器件。

技术介绍

1、随着汽车智能化不断提高，先进驾驶辅助系统(adas)、无人驾驶、汽车雷达的应用，高速数据传输系统的应用被大大扩展了，除了经典的信息娱乐系统应用外，还被扩展到了自动驾驶相关的安全系统以及车内数据传输的高速网络。对连接器的要求是不但能满足严苛环境下的耐高温、抗振等条件，还要不断适应更为复杂的网络架构设计，实现更高的传输速率、更强的抗电磁干扰能力、更低廉的成本和更高的稳定性，以满足大数据的传输需求。

2、100base-t1和1000base-t1汽车以太网标准使用单一非屏蔽双绞线(utp)连接物理层接口(phy)。utp电缆体积更小、重量更轻、成本更低且易于使用，这些都是汽车oem的关键要求，但其结构却给emi防护带来了额外的挑战。电缆通常捆绑在一起形成线束，这就大大增加了出现emi相关问题的可能性。在最坏的情况下，utp电缆中的emi电压振幅可高达100v，因此以太网网络必须足够稳定，能够承受这些峰值。而在esd和emi防护的同时，需要兼容对高速数据完整性的需本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静电保护器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述N型深阱区为两组，两组所述N型深阱区之间形成有所述隔离槽；

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述N型深阱区为一组；

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成于所述P型重掺杂阱区上的所述N型半导体区域与其余各所述N型半导体区域具有不同的掺杂浓度。...

【技术特征摘要】

1.一种静电保护器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s1包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s2包括：

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中，所述n型深阱区为两组，两组所述n型深阱区之间形成有所述隔离槽；

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中，所述n型深阱区为一组；

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成于所述p型重掺杂阱区上的所述n型半导体区域与其余各所述n型半导体区域具有不同的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾彦国，张啸，蒋骞苑，沈蓉，杜牧涵，王允，赵德益，李亚文，张利明，
申请(专利权)人：上海维安半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：