一种钝化膜沉积的HJT电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钝化膜沉积的HJT电池及其制备方法，属于新能源光伏晶硅电池技术领域。S1、清洗制绒：选取硅片，清洗后制绒，使硅片的正背面形成绒面层；S2、非晶硅镀膜：在硅片正面依次镀本征非晶硅薄膜和n型掺杂微晶硅薄膜，背面依次镀本征非晶硅薄膜和p型掺杂微晶硅薄膜；S3、选择钝化层沉积：采用ALD低温沉积技术在硅片正面沉积二氧化硅钝化薄膜；S4、TCO沉积：在硅片的正背面均沉积TCO膜；S5、金属化：利用丝网印刷技术或电镀技术进行金属化，制备金属栅线电极，得到HJT电池。本发明专利技术采用低温工艺的ALD技术在正面掺杂层微晶上生长一层氧化硅缓冲钝化膜，解决了TCO沉积过程对非/微晶层的影响，提高了电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新能源光伏晶硅电池，具体涉及一种钝化膜沉积的hjt电池及其制备方法。

技术介绍

1、hjt电池是一种可以低成本实现的高效晶体硅太阳能电池。该电池是利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，即，以高寿命的n型硅为衬底，在p型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜。然后在掺杂的非晶硅薄膜的两侧沉积透明导电氧化物(tco)薄膜，最后通过丝网印刷技术在两侧形成金属电极，形成具有对称结构的hjt太阳能电池。

2、由于氢化微晶硅(uc-si:h)的晶体特性，具有间隙带隙的uc-si:h在可见光波段的吸收系数低于氢化非晶硅(a-si:h)，在受光面可有效降低光学吸收，另外掺杂的uc-si:h比非晶硅掺杂更容易实现，相比与非晶硅，微晶硅掺杂更容易接近导带底或价带顶，电池可实现更高的转换效率。微晶技术是hjt未来高效氢电池的关键技术，微晶硅表面有着较高的h离子浓度，然而随着氢含量提高，材料表面孔洞越多，缺陷密也随之提高。

3、hjt电池综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有结构简单，工艺温本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钝化膜沉积的HJT电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种钝化膜沉积的HJT电池的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中本征非晶硅薄膜厚度为6-10nm；n型掺杂微晶硅薄膜厚度为20-30nm；P型掺杂微晶硅薄膜厚度为30-40nm。

3.根据权利要求1所述的一种钝化膜沉积的HJT电池的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中二氧化硅钝化薄膜的厚度为1-2nm。

4.根据权利要求1所述的一种钝化膜沉积的HJT电池的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中薄膜沉积温度为195-205℃。

5.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种钝化膜沉积的hjt电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种钝化膜沉积的hjt电池的制备方法，其特征在于：所述步骤s2中本征非晶硅薄膜厚度为6-10nm；n型掺杂微晶硅薄膜厚度为20-30nm；p型掺杂微晶硅薄膜厚度为30-40nm。

3.根据权利要求1所述的一种钝化膜沉积的hjt电池的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟俊杰，叶文宇，
申请(专利权)人：电投传古太阳能科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：