雷达透明的光学反射性半导体效应颜料制造技术

技术编号:41575843 阅读:16 留言:0更新日期:2024-06-06 23:54
本发明专利技术涉及薄片状效应颜料,其包含由半导体材料组成的单个小片作为光学活性层,所述单个小片具有在0.1至2.5eV范围内的带隙和具有以下平均原子组成:a)Si(1‑x)Gex,其中0<x<1.00,或b)Si(1‑y)Sny,其中0<y<0.90,或c)Ge(1‑z)Snz,其中0<z≤0.60,或d)Si(1‑m‑n)GemSnn,其中0<m<1.00,0<n<1.00,前提是x<1.00,y<1.00,z<1.00,并且m+n<1.00。这些效应颜料显示吸引人的光学特性,并且是雷达透明的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种薄片状效应颜料,其包含由半导体材料组成的单个小片作为光学活性层,所述单个小片具有在0.1至2.5eV范围内的带隙和具有以下平均原子组成:

2.根据权利要求1所述的薄片状效应颜料,其中带隙在0.2至1.4eV的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的薄片状效应颜料,其中单个小片半导体具有以下平均原子组成:

4.根据权利要求1-3中任一项所述的薄片状效应颜料,其中单个小片半导体具有以下平均原子组成:

5.根据前述权利要求中任一项所述的薄片状效应颜料,其中单个半导体小片的平均厚度ta在5至160nm的范围内。

>6.根据前述权利要...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种薄片状效应颜料,其包含由半导体材料组成的单个小片作为光学活性层,所述单个小片具有在0.1至2.5ev范围内的带隙和具有以下平均原子组成:

2.根据权利要求1所述的薄片状效应颜料,其中带隙在0.2至1.4ev的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的薄片状效应颜料,其中单个小片半导体具有以下平均原子组成:

4.根据权利要求1-3中任一项所述的薄片状效应颜料,其中单个小片半导体具有以下平均原子组成:

5.根据前述权利要求中任一项所述的薄片状效应颜料,其中单个半导体小片的平均厚度ta在5至160nm的范围内。

6.根据前述权利要求中任一项所述的薄片状效应颜料,其中所述效应颜料具有银色外观,并且单个半导体小片的平均厚度ta在15至40nm的范围内。

7.根据前述权利要求中任一项所述的薄片状效应颜料,其中所述效应颜料具有着色的外观,并且单个半导体小片的平均厚度ta在从大于40nm至160nm的范围内。

8.根据前述权利要求中任一项所述的薄...

【专利技术属性】
技术研发人员:D·施密特C·希尔布里希J·崔
申请(专利权)人:埃卡特美国公司
类型:发明
国别省市:

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