采用电化学沉积法制备电极的双面TOPCon电池结构及工艺方法技术

本发明专利技术公开了采用电化学沉积法制备电极的双面TOPCon电池结构，属于太阳能电池技术领域，包括设置在中部的N型硅基体，所述N型硅基体的正反两面均设置有隧穿氧化层，正面所述隧穿氧化层的上端设置有掺硼多晶硅层，背面所述隧穿氧化层的下端设置有掺磷多晶硅层，所述掺硼多晶硅层与所述掺磷多晶硅层的外部均沉积有氮化硅减反射层，所述氮化硅减反射层上设置有电极，以N型晶体硅作为基体通过一系列工艺方法制备得到该电池。本发明专利技术采用上述结构的采用电化学沉积法制备电极的双面TOPCon电池结构及工艺方法，该过程制备步骤简单，降低了太阳能电池的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，尤其是涉及采用电化学沉积法制备电极的双面topcon电池结构及工艺方法。

技术介绍

1、topcon电池中的氧化层提供了极好的化学钝化作用，掺杂多晶硅排斥少子，提供了不错的场钝化效应，薄得隧穿氧化层具有高选择性，能够明显提高太阳能电池的效率。然而由于正面topcon接触制备较复杂，成本较高。

2、而且，目前产业化的topcon太阳能电池电极大都用的是丝网印刷银浆或者是银铝浆的方法，然而此种方法有着银浆成本较高，所需烧结温度高等缺点，使得其在量产过程中有着很多障碍。

3、基于上述内容，本专利技术提供了一种采用电化学沉积法制备电极的双面topcon电池结构及工艺方法。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供采用电化学沉积法制备电极的双面topcon电池结构及工艺方法，在电池正面及背面依次沉积一层隧穿氧化层，一层非晶硅层；正面非晶硅层掺入硼原子作为发射极，背面非晶硅层掺入磷原子；对扩散完成的硅片正面及背面依次沉积氮化硅减反射层，并且采用电化学沉积的方式完成电池电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种采用电化学沉积法制备电极的双面TOPCon电池结构，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种采用电化学沉积法制备电极的双面TOPCon电池结构，其特征在于：所述N型硅基体的电阻率为0.5ohm·cm～5ohm·cm，厚度为80～200μm。

3.根据权利要求2所述的一种采用电化学沉积法制备电极的双面TOPCon电池结构，其特征在于：所述隧穿氧化层的材料为SiO2，厚度为1nm～5nm；所述双面氮化硅减反射膜厚度60nm～200nm。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的采用电化学沉积法制备电极的双面TOPCon电池结构的工艺方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种采用电化学沉积法制备电极的双面topcon电池结构，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种采用电化学沉积法制备电极的双面topcon电池结构，其特征在于：所述n型硅基体的电阻率为0.5ohm·cm～5ohm·cm，厚度为80～200μm。

3.根据权利要求2所述的一种采用电化学沉积法制备电极的双面topcon电池结构，其特征在于：所述隧穿氧化层的材料为sio2，厚度为1nm～5nm；所述双面氮化硅减反射膜厚度60nm～200nm。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的采用电化学沉积法制备电极的双面topcon电池结构的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种采用电化学沉积法制备电极的双面topcon电池结构的工艺方法，其特征在于：所述s1中，制绒前，对n型硅基体进行初抛去除部分机械损伤层，然后经过清洗后放入制绒槽中进行制绒。

6.根据权利要求5所述的一种采用电化学沉积法制备电极的双面topcon电池结构的工艺方法，其特征在于：所述s2与所述s4中，沉积过程中用到的设备为低压化学气相沉积炉，非晶硅层的厚度为2～200nm，...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶晓军，魏金迪，梅嵩，赵晓文，徐传根，李光达，刘航，袁志涵，李红波，
申请(专利权)人：华东理工大学，
类型：发明
国别省市：