The flux growth method for BaAlBO3F2 crystal includes: BaAlBO3F2: B2O3: LiF:},{src:NaF\u6309\u6469\u5c14\u6bd41\u22360.2\uff5e1\u22361.5\uff5e3\u22360.2\uff5e0.6\u5747\u5300\u6df7\u5408\uff0c\u7ecf\u7194\u5316\u548c\u51b7\u5374\u5f97\u6676,dst:NaF 1: 0.2 to 1 mol ratio: 1.5 to 3: 0.2 to 0.6 mixing after melting and cooling crystallization},{src:\u4f53\u751f\u957f\u539f\u6599\uff1b\u5c06\u539f\u6599\u653e\u5165\u751f\u957f\u7089\u4e2d\u5347\u6e29\u81f3\u7194\u5316\uff1b\u9971\u548c\u6e29\u5ea6\u4ee5\u4e0a1\uff5e5\u2103\u5c06\u7c7d,dst:The raw material is grown; the raw material is added to the growth furnace to heat up to the melting point; the temperature is above 1~5 DEG C to seed},{src:\u6676\u5f15\u81f3\u6db2\u9762\u4e0b5\uff5e15mm\uff0c\u6052\u6e2910\uff5e60\u5206\u949f\u540e\uff0c\u964d\u6e29\u5230\u9971\u548c\u70b9\u6e29\u5ea6\uff1b\u518d\u4ee5,dst:The crystal drops to 5 to 15mm below the liquid level, and the temperature drops to the saturation point after a constant temperature of 10~60 minutes; then},{src:0.2\uff5e5\u2103/\u5929\u901f\u7387\u964d\u6e29\uff0c\u540c\u65f6\u65cb\u8f6c\u6676\u4f53\uff1b\u5f85\u6676\u4f53\u751f\u957f\u5230\u6240\u9700\u5c3a\u5bf8\u540e\uff0c\u63d0\u79bb\u6676,dst:At 0.2 ~ 5 DEG C / day, the temperature is slowed down and the crystal is rotated at the same time. After the crystal grows to the required size, the crystal is removed},{src:\u4f53\uff0c\u964d\u6e29\u81f3\u5ba4\u6e29\u5f97BaAlBO3F2\u6676\u4f53\u3002\u672c\u65b9\u6cd5\u4f7f\u7528B2O3-LiF-NaF\u52a9\u7194\u5242\u4f53,dst:The body is cooled to room temperature by BaAlBO3F2 crystal. The method uses the B2O3-LiF-NaF flux body},{src:\u7cfb\uff0c\u53ef\u964d\u4f4e\u6676\u4f53\u751f\u957f\u6e29\u5ea6\uff0c\u9ad8\u6e29\u6eb6\u6db2\u7c98\u5ea6\u51cf\u5c0f\uff0c\u4f53\u7cfb\u6325\u53d1\u5ea6\u5c0f\uff0c\u53ef\u89e3\u51b3\u6676,dst:It can reduce the crystal growth temperature, decrease the viscosity of the high temperature solution, and reduce the volatility of the system},{src:\u4f53\u751f\u957f\u65f6\u5e95\u90e8\u7ed3\u6676\u53ca\u751f\u957f\u7684\u6676\u4f53\u6613\u5f00\u88c2\u7b49\u95ee\u9898\uff0c\u53ef\u7a33\u5b9a\u83b7\u5f97\u5927\u5c3a\u5bf8\u3001\u9ad8\u8d28,dst:When the crystal is grown at the bottom and the crystal is easy to crack, the large size and high quality can be obtained stably},{src:\u91cfBABF\u6676\u4f53\u3002,dst:Volume BABF crystal.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及 一 种单晶的生长方法，特别涉及非线性光学晶体 BaA旧0; F2的助熔剂生长方法。
技术介绍
BaA旧03F2晶体(BABF晶体)是一种新型非线性光学晶体。它稳定 的物化性能以及优良的非线性光学性能使它有很好的应用前景。最早，曰 本的《应用物理杂志》[Jpn. J.Appl.Phys. Vol.41(2002)pp丄1131-L1133]报道 了BABF的晶体结构。该晶体属于六方晶系、空间群是P^、是单轴晶体， 其晶胞参数a=4.8879(6)A, c=9.403(l)A,每个晶胞中包含2个BaAlB03F2 化学式。美国的《晶体生长杂志》[J.Crystal Growth 260(2004)287-290]以及 中国的《硅酸盐学报》[2005，33(8):954-958]和《人工晶体学报》 [2006，35(1):6-10]都报道了 BABF晶体的生长。但由于他们用的都是NaF 助熔剂体系生长，所生长出的晶体都是部分透明，并且晶体内有大量的宏 观包裹体以及容易沿(001)面开裂，所以生长出的晶体都很难能满足物 性测试。主要原因是NaF助熔剂体系...
【技术保护点】
一种ＢａＡｌＢＯ↓［３］Ｆ↓［２］晶体的助熔剂生长方法，采用Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］－ＬｉＦ－ＮａＦ助熔剂体系，包括如下步骤： １）晶体生长原料的制备：将ＢａＡｌＢＯ↓［３］Ｆ↓［２］∶Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］∶ＬｉＦ∶ＮａＦ按摩尔比１∶０．２～１∶１．５～３∶０．２～０．６均匀混合，放入到９５０～１０５０℃的马弗炉中熔化，然后直接取出放在室温下冷却，制得晶体生长原料； ２）下籽晶：把由步骤１）制备的生长原料放入晶体生长炉里，升温至９００～１０００℃，然后恒温２４～４８ｈ确保完全熔化均匀；用籽晶尝试法寻找到晶体生长的饱和温度，然后在饱和温度以上１～５℃引入籽晶，籽晶下到溶液液面下５...
【技术特征摘要】
1、一种BaAlBO3F2晶体的助熔剂生长方法，采用B2O3-LiF-NaF助熔剂体系，包括如下步骤1)晶体生长原料的制备将BaAlBO3F2∶B2O3∶LiF∶NaF按摩尔比1∶0.2～1∶1.5～3∶0.2～0.6均匀混合，放入到950～1050℃的马弗炉中熔化，然后直接取出放在室温下冷却，制得晶体生长原料；2)下籽晶把由步骤1)制备的生长原料放入晶体生长炉里，升温至900～1000℃，然后恒温24～48h确保完全熔化均匀；用籽晶尝试法寻找到晶体生长的饱和温度，然后在饱和温度以上1～5℃引入籽晶，籽晶下到溶液液面下5～15mm之间任意位置处，恒温10～60分钟后，降温到饱和点温度；3)控制各项参数进行晶体生长在晶体生长过程中，以饱和点作为降温的起点，以0.2～5℃/天的速率降温，同时以20～40转/分的速率旋转晶体；高温溶液竖直温度梯度为0.1～0.5℃/cm；4)出炉待晶体生长到所需尺寸后，提升籽晶杆，使晶体整体脱离液面上10～40mm，以不大于20℃/h的速率降温至室温，便得到BaAlBO3F2晶体。2、 按权利要求1所述的BaA旧03F2晶体的助熔剂生长方法，其特征 在于，所述的BaAffi03F2用制备BaAffi03F2的原料来替代，其制备 BaAlB03F2的反应式为 2BaF2+Al203+ B203 = 2 BaAlB03F2或 BaAlF5+B203= BaAffi03F2+BF3卞。3、 按权利要求1所述的BaAlB03F2晶体的助熔剂生长方法，其特征在于，所述的B20s是用H3B03来替代。4、 按权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡章贵，岳银超，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：11
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