一种β平面源制造技术

本技术涉及β放射源技术领域，尤其涉及一种β平面源。该β平面源包括源芯、源壳和垫片；所述源芯封装于所述源壳和所述垫片中，所述源芯包括依次层叠设置的PET膜、放射性核素、EVA膜和铝箔；所述源壳的顶部设有活性区开口；所述铝箔与所述源壳的顶部相连，所述PET膜与所述垫片相连。本技术提供的β平面源对核素的普适性好，而且该β平面源具有β粒子损失小，牢固性高，均匀性好等优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及β放射源，尤其涉及一种β平面源。

技术介绍

1、β放射源射程短，又由于自吸收和支撑物吸收，使β粒子不能到达探测器，从而影响探测效率，所以制作β放射源一般都采用铝氧化层微孔吸附的方法。铝氧化层微孔吸附的方法是，首先用h2so4腐蚀铝托片形成多孔性氧化铝膜，然后放射性物质吸附在氧化铝膜上，最后对氧化铝膜进行密封处理。采用铝氧化层微孔吸附法具有设备简单，操作方便，成本较低，适用核素范围广的优点。但是铝氧化膜微孔吸附法存在铝氧化膜的质量不高，吸附过程定量难，铝氧化膜不易密封，铝氧化膜吸收严重等问题。原子能出版社出版的《放射源的制备与应用》一书中公开了h2so4腐蚀铝托片形成多孔性氧化铝膜，放射性物质吸附在氧化铝膜上，在氧化铝膜表面涂有机膜防止放射性金属离子的渗出，存在铝氧化膜过腐蚀、孔洞结构无序和使用一段时间后有机膜起皮脱落导致放射性物质渗出的问题。发表在《现代测量与实验室管理》2003年第6期上的“氧化吸附法制备β平面源及其测量”公开了盐酸侵蚀铝底片形成多孔性氧化铝膜，然后取样器吸取配好的吸附液均匀滴在铝片的活性区上，最后马弗炉灼烧提高放射性物质在铝片本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种β平面源，其特征在于，所述β平面源包括源芯、源壳和垫片；所述源芯封装于所述源壳和所述垫片中，所述源芯包括依次层叠设置的PET膜、放射性核素、EVA膜和铝箔；所述源壳的顶部设有活性区开口；所述铝箔与所述源壳的顶部相连，所述PET膜与所述垫片相连。

2.根据权利要求1所述的β平面源，其特征在于，所述PET膜的厚度为55～125μm。

3.根据权利要求2所述的β平面源，其特征在于，所述EVA膜的厚度为15±5μm。

4.根据权利要求3所述的β平面源，其特征在于，所述铝箔的厚度为5～15μm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的β平面源，其...

【技术特征摘要】

1.一种β平面源，其特征在于，所述β平面源包括源芯、源壳和垫片；所述源芯封装于所述源壳和所述垫片中，所述源芯包括依次层叠设置的pet膜、放射性核素、eva膜和铝箔；所述源壳的顶部设有活性区开口；所述铝箔与所述源壳的顶部相连，所述pet膜与所述垫片相连。

2.根据权利要求1所述的β平面源，其特征在于，所述pet膜的厚度为55～125μm。

3.根据权利要求2所述的β平面源，其特征在于，所述eva膜的厚度为15±5μm。

4.根据权利要求3所述的β平面源，其特征在于，所述铝箔的厚度为5～15μm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的β平面源，其特征在于，所述放射性核素的厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明阳，高岩，任春侠，陈伊婷，李翔，焦华洁，
申请(专利权)人：原子高科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：