高侧NMOS功率管的反接保护电路及电源管理芯片制造技术

本申请公开了一种高侧NMOS功率管的反接保护电路及电源管理芯片。其中，高侧NMOS功率管的反接保护电路，包括：栅极关断单元，连接于电源电压与高侧NMOS功率管的栅极之间，用于在电源与地反接时，关闭高侧NMOS功率管的栅极；衬底切换单元，连接于地与高侧NMOS功率管的衬底之间，用于在电源与地反接时，将高侧NMOS功率管的衬底与漏极连接；隔离端口限流单元，连接于电源电压与高侧NMOS功率管的隔离端口之间，用于在电源与地反接时，限制流过高侧NMOS功率管自身的寄生二极管的电流。本申请中，能够在片内实现高侧NMOS功率管的反接保护的同时，确保高侧NMOS功率管维持运行效率，不会出现不必要的效率损耗，同时也能够节省整体成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子电路，尤其是一种高侧nmos功率管的反接保护电路及电源管理芯片。

技术介绍

1、对于电池供电的集成电路，电池拆卸及安装的过程中有可能将电源和地反接，如未做特殊处理及保护，会造成集成电路烧毁。如图1所示，隔离型nmos管通常用于高侧功率驱动应用，其为5端口器件，在不考虑反接情形时，通常隔离iso端及漏极d端与电源电压vdd连接，衬底b端及源极s端与输出out连接，内部驱动级与栅极g端口连接，输出out通常经负载电阻与地gnd连接；若将vdd与gnd反接，则图1中所示的3个寄生二极管d1、d2、d3会正向导通，那么vdd与gnd间会形成低阻通路，集成电路因此而被烧毁。为了解决这种问题，大部分有防反接需求的应用会在电源与ic的vdd间串联一个限流电阻，但这种做法对于效率要求高的场合是不可接受的，此外也会增加pcb面积与整体成本。因此，如何维持反接保护情况下电路的运行效率，成为了亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本申请提出一种高侧nmo本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高侧NMOS功率管的反接保护电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高侧NMOS功率管的反接保护电路，其特征在于,所述栅极关断单元包括第一开关单元和电阻限流单元，所述第一开关单元通过所述电阻限流单元连接于电源电压与所述高侧NMOS功率管的栅极之间，其中，所述第一开关单元与所述电阻限流单元相匹配，用于在电源与地反接时，限制流向所述高侧NMOS功率管的栅极的电流，以关闭所述高侧NMOS功率管的栅极。

3.根据权利要求2所述的高侧NMOS功率管的反接保护电路，其特征在于,所述第一开关单元包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管，所述电...

【技术特征摘要】

1.一种高侧nmos功率管的反接保护电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高侧nmos功率管的反接保护电路，其特征在于,所述栅极关断单元包括第一开关单元和电阻限流单元，所述第一开关单元通过所述电阻限流单元连接于电源电压与所述高侧nmos功率管的栅极之间，其中，所述第一开关单元与所述电阻限流单元相匹配，用于在电源与地反接时，限制流向所述高侧nmos功率管的栅极的电流，以关闭所述高侧nmos功率管的栅极。

3.根据权利要求2所述的高侧nmos功率管的反接保护电路，其特征在于,所述第一开关单元包括第一mos管、第二mos管、第三mos管和第四mos管，所述电阻限流单元包括第一电阻、第二电阻和第三电阻，其中，所述第三mos管和所述第四mos管采用隔离型mos管，所述第一mos管的栅极和所述第二mos管的栅极接地，所述第一mos管的源极连接于所述第二mos管的源极，所述第三mos管的栅极通过所述第二电阻连接于所述第三mos管的源极，所述第四mos管的栅极通过所述第三电阻连接于所述第四mos管的源极，所述第三mos管的隔离端口连接于所述第四mos管的隔离端口，所述第四mos管的源极还连接于电源电压，所述第一电阻的一端分别连接于所述高侧nmos功率管的栅极和所述第三mos管的源极，另一端连接于内部驱动级。

4.根据权利要求1所述的高侧nmos功率管的反接保护电路，其特征在于,所述衬底切换单元包括第二开关单元和第三开关单元，所述高侧nmos功率管的衬底分别通过所述第二开关单元和所述第三开关单元接地，其中，所述第二开关单元用于在电源与地反接时，将所述高侧nmos功率管的衬底与漏极连接，所述第三开关单元用于在电源与地未反接时，将所述高侧nmos功率管的衬底连接至所述高侧nmos功率管的漏极，以确保所述高侧nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄鑫，
申请(专利权)人：杭州拓尔微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：