芯片发热过程的模拟方法和系统技术方案

技术编号:41556426 阅读:16 留言:0更新日期:2024-06-06 23:41
本申请涉及芯片测试技术领域,公开了一种芯片发热过程的模拟方法和系统。所述方法包括:对目标芯片进行瞬态热测量和测量结果转换,得到累积结构函数;基于所述累积结构函数创建所述目标芯片的目标有限元模型;通过贝叶斯优化加速PTA算法对所述目标有限元模型进行芯片发热过程模拟,得到芯片温度模拟数据;通过遗传算法对所述芯片温度模拟数据进行参数优化求解,得到目标芯片参数集合,本申请采用有限元技术对芯片发热过程进行模拟从而提高了芯片设计参数的优化效率和准确率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片测试,尤其涉及一种芯片发热过程的模拟方法和系统


技术介绍

1、芯片的发热问题是一个普遍存在且日益突出的问题。随着集成度的不断提高和功率密度的增加,芯片的热管理变得尤为关键。不仅影响设备的性能和寿命,还可能导致设备故障和安全隐患。为了准确地模拟和预测芯片的发热过程,以实现有效的热管理和优化设计,研究人员和工程师亟需一种高效、准确的模拟方法。

2、传统的芯片发热模拟方法多依赖于经验公式和简化模型,这些方法往往难以准确反映实际的热传输过程和复杂的工作条件。此外,传统的参数优化方法也存在计算复杂度高、收敛速度慢以及可能陷入局部最优等问题,这使得模拟结果的准确性和可靠性受到限制。


技术实现思路

1、本申请提供了一种芯片发热过程的模拟方法和系统,用于采用有限元技术对芯片发热过程进行模拟从而提高了芯片设计参数的优化效率和准确率。

2、第一方面,本申请提供了一种芯片发热过程的模拟方法,所述芯片发热过程的模拟方法包括:

3、对目标芯片进行瞬态热测量和测量结果转换,得到累积结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片发热过程的模拟方法,其特征在于,所述芯片发热过程的模拟方法包括:

2.根据权利要求1所述的芯片发热过程的模拟方法,其特征在于,所述对目标芯片进行瞬态热测量和测量结果转换,得到累积结构函数,包括:

3.根据权利要求2所述的芯片发热过程的模拟方法,其特征在于,所述基于所述累积结构函数创建所述目标芯片的目标有限元模型,包括:

4.根据权利要求2所述的芯片发热过程的模拟方法,其特征在于,所述通过贝叶斯优化加速PTA算法对所述目标有限元模型进行芯片发热过程模拟,得到芯片温度模拟数据,包括:

5.根据权利要求1所述的芯片发热过程的模拟方法,...

【技术特征摘要】

1.一种芯片发热过程的模拟方法,其特征在于,所述芯片发热过程的模拟方法包括:

2.根据权利要求1所述的芯片发热过程的模拟方法,其特征在于,所述对目标芯片进行瞬态热测量和测量结果转换,得到累积结构函数,包括:

3.根据权利要求2所述的芯片发热过程的模拟方法,其特征在于,所述基于所述累积结构函数创建所述目标芯片的目标有限元模型,包括:

4.根据权利要求2所述的芯片发热过程的模拟方法,其特征在于,所述通过贝叶斯优化加速pta算法对所述目标有限元模型进行芯片发热过程模拟,得到芯片温度模拟数据,包括:

5.根据权利要求1所述的芯片发热过程的模拟方法,其特征在于,所述对所述芯片温度分布数据进行温度聚类分析,得到芯片温度模拟数据,包括:

6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵海芳
申请(专利权)人:精宇奥力强深圳实业有限公司
类型:发明
国别省市:

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