【技术实现步骤摘要】
本公开主要涉及半导体制造，并且更具体地，涉及顶层金属层的图案化以便最小化或消除集成电路封装(包括晶圆级芯片规模封装)中的机械应力。
技术介绍
1、半导体器件制造是一种用于创建集成电路的过程，所述集成电路存在于许多电气和电子器件中。半导体器件制造包括光刻步骤、机械处理步骤和化学处理步骤的多步骤序列，在这些处理步骤期间，电子电路被逐步地创建在由半导体材料制成的晶圆上。例如，在半导体器件制造期间，许多分立电路元件(包括晶体管、电阻器、电容器、电感器和二极管在内)可以形成在单个半导体裸片(die)上。
2、日益增加地，在半导体上形成的集成电路经常被封装为晶圆级芯片规模封装(wlcsp)。一般而言，wlcsp的制造涉及在集成电路仍然是半导体晶圆的一部分时封装集成电路，这与将晶圆切割成单个电路(裸片)然后单独封装裸片的较传统的方法形成对比。因此，所得到的封装实际上可以具有与裸片相同的尺寸。wlcsp的主要应用领域是智能手机及类似的移动设备，这是由于这些设备的尺寸限制。例如，wlcsp在智能手机中所提供的功能可以包括传感器、电源管理、无线...
【技术保护点】
1.一种用于形成制造的集成电路器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层是所述制造的集成电路器件的顶层金属。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括铜、铜合金和铝中的一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述禁入距离是使得所述金属图案不侵占邻近所述目标凸点的非目标凸点的足够距离。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外部区域具有外部边缘，使得所述外部区域与凸点下金属轮廓保持所述禁入距离。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述金属层内形成所述金属图案的多个实例
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【技术特征摘要】
1.一种用于形成制造的集成电路器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层是所述制造的集成电路器件的顶层金属。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包括铜、铜合金和铝中的一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述禁入距离是使得所述金属图案不侵占邻近所述目标凸点的非目标凸点的足够距离。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外部区域具有外部边缘，使得所述外部区域与凸点下金属轮廓保持所述禁入距离。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述金属层内形成所述金属图案的多个实例。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属图案的至少一部分在所述制造的集成电路器件的集成电路中是电活性的。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属图案的至少一部分携带信号信息。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属图案的至少一部分在所述制造的集成电路器件的集成电路中是非电活性的。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属图案包括穿过所述内部形状和所述外部区域中的至少一个的线性间隙分离。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属图案包括与所述内部形状同心的多个小环。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多个小环中的每一个是圆形。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多个小环中的每一个是多边形。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属图案具有包括所述内部形状和所述外部区域中的一部分的角片段。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述内部形状是圆形。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述内部形状是多边形。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述制造的集成电路器件是晶圆级芯片规模封装。
18.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述金属图案包括图案化所述金属层，以在所述内部形状与所述外部区域之间的金属层内创建至少一个桥，使得所述内部形状与所述外部区域彼此电耦合。
19.一种制造的集成电路器件，包括：
20.根据权利要求19所述的制造的集成电路器件，其中，所述金属层是所...
【专利技术属性】
技术研发人员：凯瑟琳·罗斯·霍兰德，马克·L·塔拉比亚，庞耀宇，亚历山大·巴尔，
申请(专利权)人：思睿逻辑国际半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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