【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于金属复合材料领域，涉及一种适用于紧凑型中子源的氘气靶膜吸附材料。
技术介绍
1、紧凑型中子源依靠氘氘等离子体产生核反应，从而放出中子，中子产额从106n/s-1010n/s范围内对应不同的工业应用，如中子活化分析、中子成相无损检测、放射性废物安检检测等。紧凑型中子源运行方式是通过采用不同类型离子源产生的氘等离子体轰击含氘的中子靶，目前采用最多的是钛靶，包含钛自成靶与钛吸附靶，自成靶是利用氘的等离子体驱动渗透原理，在紧凑型中子源运行时，通过氘等离子体不断向靶内部注入氘。而吸附靶是在钛靶制备完成后，利用气相充氘法注入氘，由于钛是一种可逆的强的吸放氢金属，不仅能够吸氢，当温度达到200℃以上时，可以释放氢。经研究，氘在钛中的含量可以达到2wt％左右。目前钛靶的制备要求是要使靶面温度低于200℃。这限制了紧凑型中子源中子产额的进一步提升，因为氘在靶膜中的含量与中子的产额正相关。所以，开发一种氘含量既高(大于2wt％),释氢温度也高(大于210℃)的新型靶膜材料，是提升紧凑型中子源的关键。
2、经过调研，除了传统的钛金属...
【技术保护点】
1.一种适用于紧凑型中子源的氘气靶膜吸附材料，其特征在于，所述吸附材料包括中子靶基底(1)、阻氢材料层(2)和储氢材料层(3)，阻氢材料层(2)设置在中子靶基底(1)上，储氢材料层(3)设置在阻氢材料层(2)上；
2.根据权利要求1所述的氘气靶膜吸附材料，其特征在于，所述的复合靶膜材料制备的顺序是先制备中子靶基底(1)，再制备阻氢材料层(2)，最后制备储氢材料层(3)。
3.根据权利要求1所述的氘气靶膜吸附材料，其特征在于，所述的阻氢材料采用磁控溅射方法在中子靶基底(1)的铜基底上制备，所述的储氢材料层(3)采用磁控溅射法或钎焊法在阻氢材料层(
...【技术特征摘要】
1.一种适用于紧凑型中子源的氘气靶膜吸附材料，其特征在于，所述吸附材料包括中子靶基底(1)、阻氢材料层(2)和储氢材料层(3)，阻氢材料层(2)设置在中子靶基底(1)上，储氢材料层(3)设置在阻氢材料层(2)上；
2.根据权利要求1所述的氘气靶膜吸附材料，其特征在于，所述的复合靶膜材料制备的顺序是先制备中子靶基底(1)，再制备阻氢材料层(2)，最后制备储氢材料层(3)。
3.根据权利要求1所述的氘气靶膜吸附材料，其特征在于，所述的阻氢材料采用磁控溅射方法在中子靶基底(1)的铜基底上制备，所述的储氢材料层(3)采用磁控溅射法或钎焊法在阻氢材料层(2)上制备。
4.根据权利要求1所述的氘气靶膜吸附材料，其特征在于，所述的储氢材料层(3)厚度为...
【专利技术属性】
技术研发人员：王纪超，徐伟，孟献才，梁立振，卢棚，洪兵，
申请(专利权)人：合肥综合性国家科学中心能源研究院安徽省能源实验室，
类型：发明
国别省市：
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