一种高压转低压电路、BMS电路及微处理芯片制造技术

本申请提供了一种高压转低压电路、BMS电路及微处理芯片，高压转低压电路包括：电流镜单元，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的源极和第二晶体管的源极分别连接第一电源端，第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极电连接；第三晶体管，第三晶体管的漏极与第一晶体管的漏极电连接，第三晶体管的栅极接地，第三晶体管的源极通过第一电阻接地；稳压管，稳压管的负极通过第二电阻与第二晶体管的漏极电连接；二极管，二极管的正极与稳压管的正极电连接，二极管的负极接地。利用第三晶体管得到一个较为稳定的电流，利用该电流经过二极管补偿得到一个较为稳定的电压，可以实现低功耗高可靠性高压转低压给芯片进行使用。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子，具体地涉及一种高压转低压电路、bms电路及微处理芯片。

技术介绍

1、在高压电源应用集成电路中，通常需要将高压电源转为低压进行信号处理，待处理完成后再转成高压输出，这是因为低压芯片的面积远比高压芯片小，转为低压处理可以节省芯片成本。但是，现有技术中高压转低压电路的稳定性较差，进而影响其在芯片中的使用。

技术实现思路

1、本申请提供一种高压转低压电路、bms电路及微处理芯片，以利于解决现有技术中高压转低压电路的稳定性较差，进而影响其在芯片中使用的问题。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种高压转低压电路，包括：

3、电流镜单元，包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极分别连接第一电源端，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极电连接；

4、第三晶体管，所述第三晶体管的漏极与所述第一晶体管的漏极电连接，所述第三晶体管的栅极接地，所述第三晶体管的源极通过第一电阻接地；

5、稳压管，所述稳压管的负极通过第二电阻与所述第二晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高压转低压电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高压转低压电路，其特征在于，所述第三晶体管为高压耗尽型PMOS晶体管,利用所述高压耗尽型PMOS晶体管的负阈值电压在第一电阻产生电流。

3.根据权利要求2所述的高压转低压电路，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的高压转低压电路，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的高压转低压电路，其特征在于，所述第一晶体管为NMOS晶体管，所述第二晶体管为NMOS晶体管，所述第三晶体管为PMOS晶体管，所述第四晶体管为PMOS晶体管，所述第五晶体管为PMOS晶体管，所述第...

【技术特征摘要】

1.一种高压转低压电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高压转低压电路，其特征在于，所述第三晶体管为高压耗尽型pmos晶体管,利用所述高压耗尽型pmos晶体管的负阈值电压在第一电阻产生电流。

3.根据权利要求2所述的高压转低压电路，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的高压转低压电路，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的高压转低压电路，其特征在于，所述第一晶体管为nmos晶体管，所述第二晶体管为nmos晶体管，所述第三晶体管为pmos晶体管，所述第四晶体管为pmos晶体管，所述第五晶体管为pmos晶体管，所述第六晶体管为pmos晶体管，所述第七晶体管为nmos晶体管。

6.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯森，张剑云，
申请(专利权)人：上海领帆微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：