一种带加热功能的TO-CAN发射组件结构制造技术

本技术公开了一种带加热功能的TO‑CAN发射组件结构，包括金属底座、带薄膜电阻热沉、DML芯片、陶瓷垫块和MPD芯片，所述带薄膜电阻热沉设于金属底座上，所述DML芯片设于带薄膜电阻热沉上，所述陶瓷垫块设于金属底座上，所述MPD芯片设于陶瓷垫块上。本技术涉及TO‑CAN发射组件结构设计领域，具体是指一种带加热功能的TO‑CAN发射组件结构。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及to-can发射组件结构设计领域，具体是指一种带加热功能的to-can发射组件结构。

技术介绍

1、现有的to-can发射组件结构的加热方式主要有分立式加热电阻控制方案，还有tec温控方案，如图3和图4所示。分立式加热电阻控制方案热传导效率比较低，功耗也相对较大；tec温控方案结构比较复杂，而且工艺也比较麻烦，同时也造成产品良率不高的问题发生。

2、为解决以上问题，本专利技术提出了一种新式的热沉集成加热电阻结构设计，相比较现有的复杂的tec控制或者分立式加热电阻贴装方式，仅对to-can发射组件进行单向温度调节，只需给薄膜电阻供电，控制电路简单，加热效率极高且功耗较低，能够实现更快的温控响应。

技术实现思路

1、针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本技术提供一种带加热功能的to-can发射组件结构。

2、本技术采取的技术方案如下：本技术是一种带加热功能的to-can发射组件结构，包括金属底座、带薄膜电阻热沉、dml芯片、陶瓷垫块和mpd芯片，所述带薄膜电阻热沉设于金属底座上，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带加热功能的TO-CAN发射组件结构，其特征在于：包括金属底座、带薄膜电阻热沉、DML芯片、陶瓷垫块和MPD芯片，所述带薄膜电阻热沉设于金属底座上，所述DML芯片设于带薄膜电阻热沉上，所述陶瓷垫块设于金属底座上，所述MPD芯片设于陶瓷垫块上。

2.根据权利要求1所述的一种带加热功能的TO-CAN发射组件结构，其特征在于：所述金属底座上设有透镜管帽，所述带薄膜电阻热沉、DML芯片、陶瓷垫块和MPD芯片位于透镜管帽内。

3.根据权利要求1所述的一种带加热功能的TO-CAN发射组件结构，其特征在于：所述金属底座为5PIN金属底座。

【技术特征摘要】

1.一种带加热功能的to-can发射组件结构，其特征在于：包括金属底座、带薄膜电阻热沉、dml芯片、陶瓷垫块和mpd芯片，所述带薄膜电阻热沉设于金属底座上，所述dml芯片设于带薄膜电阻热沉上，所述陶瓷垫块设于金属底座上，所述mpd芯片设于陶瓷垫块上。

2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张烜，李奇志，张立，陈龙，
申请(专利权)人：武汉海飞通光电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：