一种激光器结构及多波长激光器阵列制造技术

技术编号:41538285 阅读:38 留言:0更新日期:2024-06-03 23:17
本发明专利技术涉及激光器技术领域,公开了一种激光器结构及多波长激光器阵列,激光器结构包括:半导体衬底层以及设置于半导体衬底层上的激光器本体、第一电极结构和第二电极结构,激光器本体包括有源层,有源层包括层叠设置的多种发光波长不同的介质结构;第一电极结构与激光器本体间隔设置;第二电极结构设置在激光器本体背离半导体衬底层的一侧表面上;第一电极结构和第二电极结构通过激励单元相连,第二电极结构被配置为在激励单元的作用下调节激光器本体的光学谐振腔的长度。在不改变有源层材料和结构的前提下,不同的激光器本体被调控发出不同波长激光,简化了不同发光波长的激光器结构的制备,保证激光器结构的发光性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光器,具体涉及一种激光器结构及多波长激光器阵列


技术介绍

1、半导体激光器是光纤通信系统中的重要光源,目前光纤通信系统普遍使用波分复用方式的增加单根光纤的通信容量。波分复用(wavelength division multiplexing,简称wdm)是在同一根光纤中同时让两个或两个以上的光波长信号通过不同光信道各自传输信息的技术,在不同信道使用不同的波长进行通信传输,可以充分利用光纤的低损耗波段,提高光纤的传输容量和灵活性。因此将多个不同波长激光器集成在一起的多波长激光器阵列相比传统的单波长激光器具备相当的优势。多波长激光器阵列(multi-wavelength laserarrays,简称mwla)就是指在同一片晶片上制作不同发光波长的激光器,再将这些不同发光波长的激光器集成封装在同一芯片上,实现多波长光源的稳定输出。

2、目前,发光波长不同的激光器主要是具有材料成分不同或者结构不同的有源层,以形成不同的pn结。比如,可以采用材料成分不同的有源层得到不同发光波长的激光器;或者通过制作不同的有源层介电层结构得到不同厚度与成分本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光器结构,其特征在于,包括半导体衬底层(100)以及设置于所述半导体衬底层(100)上的激光器本体(10)、第一电极结构(20)及第二电极结构(30);

2.根据权利要求1所述的激光器结构,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的激光器结构,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的激光器结构,其特征在于,所述介质结构为量子点结构(121)、量子阱结构、量子线结构或块材结构中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的激光器结构,其特征在于,所述介质结构为量子点结构(121),在沿垂直于所述半导体衬底层(100)的方向上,所述有源层(12)...

【技术特征摘要】

1.一种激光器结构,其特征在于,包括半导体衬底层(100)以及设置于所述半导体衬底层(100)上的激光器本体(10)、第一电极结构(20)及第二电极结构(30);

2.根据权利要求1所述的激光器结构,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的激光器结构,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的激光器结构,其特征在于,所述介质结构为量子点结构(121)、量子阱结构、量子线结构或块材结构中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的激光器结构,其特征在于,所述介质结构为量子点结构(121),在沿垂直于所述半导体衬底层(100)的方向上,所述有源层(12)包括层叠设置的发光波长依次递减或依次递增的多种量子点结构(121);

6.根据权利要求5所述的激光器结构,其特征在于,

7.根据权利要求1-6任一项所述的激光器结构,其特征在于,所述激光器本体(10)包括依次层叠设置的下限制层(11)、有源层(12)、上限制层(13)和接触层(14);所述激光器本体(10)的上表面形成脊形区,所述接触层(14)和所述上限制层(13)位于所述脊形区内,所述第二电极结构(30)设置在所述脊形区的外周,且在所述有源层(12)的上表面由所述脊...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名朱忻
申请(专利权)人:苏州矩阵光电有限公司
类型:发明
国别省市:

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