【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅半导体器件可靠性测试评估，具体涉及一种解耦碳化硅mosfet退化状态的监测方法、存储介质及电子设备。
技术介绍
1、碳化硅mosfet凭借其高温、高压、高频、低损耗等优势，是一种在中高压领域最佳替代硅igbt的器件。但由于碳化硅材料的固有特性以及恶劣的工作条件，碳化硅mosfet容易发生退化，使得碳化硅mosfet的设备的可靠性降低。其中碳化硅mosfet退化包括芯片退化和封装相关退化。而栅极氧化物退化和键合线疲劳又分别是芯片和封装的主要可靠性问题。栅氧退化会导致阈值电压不稳定，正向漂移会导致损耗和结温的增加，负向漂移会导致寄生导通，进一步影响可靠性。键合线疲劳会导致器件导通电阻正向偏移，键合线严重退化不仅会导致开路故障，还会增加器件过热的风险。在实际应用中，需针对不同的退化类型，采取相应的措施来提高使用寿命和可靠性。因此需针对碳化硅mosfet退化进行精准识别，进而便于确定后续措施进行应对。
技术实现思路
1、为克服上述现有技术的不足，本专利技术提供了一种解耦碳化硅m...
【技术保护点】
1.一种解耦碳化硅MOSFET退化状态的监测方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的监测方法，其特征在于，所述根据碳化硅MOSFET的导通暂态过程测试获得监测碳化硅MOSFET退化的前兆参数的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的监测方法，其特征在于，所述结合前兆参数和关键驱动配置参数判断分析碳化硅MOSFET的退化类型的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的监测方法，其特征在于，当判断碳化硅MOSFET发生栅氧退化后，调整栅极驱动电压处于低值，并调整栅极电阻的阻值呈由低到高变化：
5.根据权利要求4所述的...
【技术特征摘要】
1.一种解耦碳化硅mosfet退化状态的监测方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的监测方法，其特征在于，所述根据碳化硅mosfet的导通暂态过程测试获得监测碳化硅mosfet退化的前兆参数的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的监测方法，其特征在于，所述结合前兆参数和关键驱动配置参数判断分析碳化硅mosfet的退化类型的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的监测方法，其特征在于，当判断碳化硅mosfet发生栅氧退化后，调整栅极驱动电压处于低值，并调整栅极电阻的阻值呈由低到高变化：
5.根据权利要求4所述的监测方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：张浩然，田博文，杨蕊，蔡雨萌，孙鹏，赵志斌，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：
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