【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种功率半导体封装结构、装置及其烧结方法。
技术介绍
1、现阶段的功率半导体封装工艺一般包括烧结工艺，在功率半导体烧结过程中，需要进行预烧结工艺，以保证功率半导体中的封装结构的稳定性。传统的预烧结工艺一般的采用热压工序和银膏的固化作用，对功率半导体中的封装结构进行固定。由于现有功率半导体中的封装结构的限制，导致在预烧结工艺中，当银膏过度烘干或者搁置一段时间后，热压工序将无法达到对功率半导体中的缓冲金属层进行固定的效果，使得功率半导体中的缓冲金属层在烧结过程中脱落，影响功率半导体在烧结过程中的可靠性。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种功率半导体封装结构、装置及其烧结方法，以解决现有的功率半导体在烧结过程中的可靠性的问题。
2、一种功率半导体封装结构，包括功率器件、第一结合材料层、粘结固定件和缓冲金属层；
3、所述第一结合材料层设置在所述功率器件和所述缓冲金属层之间，并与所述功率器件和所述缓冲金属层电连接；
4、所述粘...
【技术保护点】
1.一种功率半导体封装结构，其特征在于，包括功率器件、第一结合材料层、粘结固定件和缓冲金属层；
2.如权利要求1所述的功率半导体封装结构，其特征在于，所述第一结合材料层内形成多个容置孔隙；所述粘结固定件填充在多个所述容置孔隙内。
3.如权利要求1所述的功率半导体封装结构，其特征在于，所述第一结合材料层包括目标材料层，所述目标材料层设置在所述功率器件和所述缓冲金属层之间；
4.如权利要求3所述的功率半导体封装结构，其特征在于，所述粘结固定件包括目标固定件，所述目标固定件设置在所述目标材料层内；
5.如权利要求1所述的功率半...
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体封装结构，其特征在于，包括功率器件、第一结合材料层、粘结固定件和缓冲金属层；
2.如权利要求1所述的功率半导体封装结构，其特征在于，所述第一结合材料层内形成多个容置孔隙；所述粘结固定件填充在多个所述容置孔隙内。
3.如权利要求1所述的功率半导体封装结构，其特征在于，所述第一结合材料层包括目标材料层，所述目标材料层设置在所述功率器件和所述缓冲金属层之间；
4.如权利要求3所述的功率半导体封装结构，其特征在于，所述粘结固定件包括目标固定件，所述目标固定件设置在所述目标材料层内；
5.如权利要求1所述的功率半导体封装结构，其特征在于，所述缓冲金属层包括目标金属层，所述目标金属层设置在所述第一结合材料层上；
6.如权利要求1所述的功率半导体封装结构，其特征在于，所述功率器件的表面设有目标焊区镀层；所述第一结合材料层分别与所述目标焊区镀层和所述缓冲金属层电连接。
7.如权利要求6所述的功率半导体封装结构，其特征在于，所述第一结合材料层在垂直方向上的投影...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭宇，杨胜松，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。