【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于锂离子电池材料领域，具体涉及一种高电压钴酸锂用小粒度四氧化三钴的制备方法。
技术介绍
1、钴酸锂(licoo2)因具有较高比容量、高放电平台及压实密度等优点，是目前用于3c 等消费类电池的主要正极活性材料。随着电子产品的轻量化、微型化发展，对锂离子电池能量密度提出更高要求，现主要通过提高截止电压来提高钴酸锂电池的能量密度。随着高充电截止电压(4.5v 或 4.5v以上)的提升，钴酸锂脱锂量增加，更多活性 li+参与脱嵌过程，使得材料的实际克容量得到显著提升。但同时，高工作电压会造成材料的结构发生不可逆相转变、界面副反应增多等问题，导致材料性能降低，电池容量衰减。针对这些问题，近些年研究者对高电压钴酸锂做了大量改性研究，解决方法主要集中在体相掺杂和表面包覆。
2、目前采用液相沉淀法制备掺杂碳酸钴的过程中，主要以提高al掺杂量以及改善al均匀性为主要改性手段，但是随着截止电压的提升，掺杂元素掺杂量的增多，导致电池容量或循环性能降低，还可能使得多余的金属离子无法进入材料晶格，造成容量大幅度下降问题更为凸显，严重影响了...
【技术保护点】
1.一种高电压钴酸锂用小粒度四氧化三钴的制备方法，包括以钴盐、碳酸氢铵和掺杂剂为原料通过液相沉淀法制备掺杂碳酸钴颗粒的步骤，以及掺杂碳酸钴颗粒煅烧生成四氧化三钴的步骤，其特征在于：所述液相沉淀法制备掺杂碳酸钴颗粒的步骤依次包括铝镁共掺杂的造核阶段，铝镁共掺杂的晶核生长阶段和镍锰共掺杂的造壳阶段，其中，
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：
4.根据权利要求1-3任一所述的制备方法，其特征在于：所述液相沉淀法制备掺杂碳酸钴颗粒的步骤具体包括以下操作过程：
5.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种高电压钴酸锂用小粒度四氧化三钴的制备方法，包括以钴盐、碳酸氢铵和掺杂剂为原料通过液相沉淀法制备掺杂碳酸钴颗粒的步骤，以及掺杂碳酸钴颗粒煅烧生成四氧化三钴的步骤，其特征在于：所述液相沉淀法制备掺杂碳酸钴颗粒的步骤依次包括铝镁共掺杂的造核阶段，铝镁共掺杂的晶核生长阶段和镍锰共掺杂的造壳阶段，其中，
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：
4.根据权利要求1-3任一所述的制备方法，其特征在于：所述液相沉淀法制备掺杂碳酸钴颗粒的步骤具体包括以下操作过程：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭燕平，冯玉洁，蒋晓锋，石秀龙，姬正宙，彭正宇，杨家红，高琴琴，张红霞，张生海，刘信，
申请(专利权)人：金川集团镍钴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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