【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，尤其涉及到一种湿法处理设备以及晶圆清洗方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，半导体器件的特征尺寸不断微缩，半导体器件的结构也越来越复杂。在制造过程中，由于半导体器件具有极微小结构，且该结构的深宽比也越来越大，导致湿法工艺中的清洗和刻蚀变得复杂。在湿法工艺中，晶圆在加工过程中的面内接触均匀性会直接影响产品良率和性能。因此，随着晶圆尺寸的变化，对面内接触均匀性的要求也越来越高，这给湿法工艺带来更高的挑战。
2、目前的湿法工艺一般是基于化学溶液的扩散-吸附过程来实现的，该过程主要依赖于溶液的流动和化学成分的热扩散运动。然而，化学溶液在上述极微小结构中的运动效率较低，导致化学溶液在晶圆表面的分布不均，影响清洗和刻蚀效果。因此，提高化学溶液在极微小结构中的运动效率是亟待湿法工艺解决的问题。
技术实现思路
1、本申请提供了一种湿法处理设备以及晶圆清洗方法，以提高处理液中的离子在晶圆表面结构中的运动速率以及运动范围，从而提高晶圆在湿法工艺过程中的面内接触均匀性。<...
【技术保护点】
1.一种湿法处理设备，其特征在于，包括工作台，以及设置于所述工作台的喷嘴、磁体组件和旋转驱动装置，其中：
2.如权利要求1所述的湿法处理设备，其特征在于，所述磁体组件具有第一磁场，所述第一磁场的方向与所述晶圆的表面呈夹角设置，所述旋转驱动装置用于驱动所述磁体组件沿与所述晶圆的旋转方向相同的第一旋转方向和/或与所述晶圆的旋转方向相反的第二旋转方向旋转。
3.如权利要求2所述的湿法处理设备，其特征在于，所述旋转驱动装置用于驱动所述磁体组件沿所述第一旋转方向和所述第二旋转方向交替旋转。
4.如权利要求2或3所述的湿法处理设备，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种湿法处理设备，其特征在于，包括工作台，以及设置于所述工作台的喷嘴、磁体组件和旋转驱动装置，其中：
2.如权利要求1所述的湿法处理设备，其特征在于，所述磁体组件具有第一磁场，所述第一磁场的方向与所述晶圆的表面呈夹角设置，所述旋转驱动装置用于驱动所述磁体组件沿与所述晶圆的旋转方向相同的第一旋转方向和/或与所述晶圆的旋转方向相反的第二旋转方向旋转。
3.如权利要求2所述的湿法处理设备，其特征在于，所述旋转驱动装置用于驱动所述磁体组件沿所述第一旋转方向和所述第二旋转方向交替旋转。
4.如权利要求2或3所述的湿法处理设备，其特征在于，所述磁体组件还具有第二磁场，所述第二磁场的方向与所述第一磁场的方向相反。
5.如权利要求1至4中任一项所述的湿法处理设备，其特征在于，所述至少一个磁场的方向垂直于所述晶圆的表面。
6.如权利要求1至5中任一项所述的湿法处理设备，其特征在于，所述磁体组件包括永磁体、导磁层和第一外层，所述导磁层绕所述永磁体的周侧设置，所述第一外层包覆所述永磁体和所述导磁层。
7.如权利要求6所述的湿法处理设备，其特征在于，所述磁体组件还包括第一线圈，所述第一线圈设置于所述导磁层和所述第一外层之间，且绕所述导磁层的周侧设置。
8.如权利要求1至5中任一项所述的湿法处理设备，其特征在于，所述磁体组件包括磁芯、第二线圈和第二外层，所述第二线圈...
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