【技术实现步骤摘要】
本技术涉及igbt保护领域,特别涉及一种igbt有源钳位装置。
技术介绍
1、igbt即绝缘栅极双极型晶体管,由于它将mosfet和gtr的优点集于一身,具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动电路简单、通态压降较低、耐压高及承受大电流等优点,其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
2、一般在igbt应用电路中,主电路存在较大的杂散电感。igbt在关断时,集电极电流下降率很大,在杂散电感的作用下会感应出很大的电动势,与直流母线电压一起叠加在igbt两端,致使igbt集电极-发射极之间承受了很大的尖峰电压,甚至超出igbt额定的集电极-发射极耐压值,造成igbt损坏。
3、为了解决这一问题就需要在igbt上增加保护装置,钳位电路就是一种可选择方案,如专利申请号为201820777150.7的一种用于igbt过压保护的有源钳位电路,就通过复杂的电路设计实现钳位保护的目的,但是其存在电路复杂且成本高的缺陷。
4、
...【技术保护点】
1.一种IGBT有源钳位装置,其特征在于:包括基板、钳位电路,所述钳位电路设置在基板上,在基板上设置有安装孔P1、P2,所述钳位电路的两端分别电连接至安装孔P1、P2。
2.如权利要求1所述的一种IGBT有源钳位装置,其特征在于:所述钳位电路包括瞬态抑制二极管,瞬态抑制二极管的阴极引出端子连接至安装孔P1、阳极连接至安装孔P2。
3.如权利要求2所述的一种IGBT有源钳位装置,其特征在于:所述瞬态抑制二极管包括多个,每个瞬态抑制二极管按照阴极连接另一个瞬态抑制二极管阳极的方式串联后,分别在串联后的两端瞬态抑制二极管引出阴极、阳极连接至安装孔P1
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【技术特征摘要】
1.一种igbt有源钳位装置,其特征在于:包括基板、钳位电路,所述钳位电路设置在基板上,在基板上设置有安装孔p1、p2,所述钳位电路的两端分别电连接至安装孔p1、p2。
2.如权利要求1所述的一种igbt有源钳位装置,其特征在于:所述钳位电路包括瞬态抑制二极管,瞬态抑制二极管的阴极引出端子连接至安装孔p1、阳极连接至安装孔p2。
3.如权利要求2所述的一种igbt有源钳位装置,其特征在于:所述瞬态抑制二极管包括多个,每个瞬态抑制二极管按照阴极连接另一个瞬态抑制二极管阳极的方式串联后,分别在串联后的两端瞬态抑制二极管引出阴极、阳极连接至安装孔p1、p2。
4.如权利要求2或3所述的一种igbt有源钳位装置,其特征在于:所述装置还包括与瞬态...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨春鹏,宫龙,刘新明,余锐,冯子春,陈凯,李华清,吴海林,杨志,
申请(专利权)人:芜湖麦可威电磁科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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