一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料及其制备方法技术

本申请涉及软磁铁氧体材料技术领域，本申请公开了一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料及其制备方法。一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料，包括主成分和添加剂；所述主成分包括以下摩尔百分比原料：Fe2O340.0‑48.0%，ZnO1‑10%，NiO35‑45%，余量为CuO；以所述主成分的重量为计算基准，所述添加剂包括以下质量百分比原料：SiO21.0‑5.0%、CaCO31.5‑7.5%、WO30.5‑1.5%和Bi2O30.1‑0.5%中一种或多种。本申请通过独特的成分以及配比设计和添加剂的选用，制备得到的NiCuZn铁氧体材料具有优异的电流饱和性能以及超低的磁导率、优异的机械强度和高频阻抗性能，同时在高频中具有较高的Q值，有效降低了磁损耗。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及软磁铁氧体材料，尤其是涉及一种低温烧结超低磁导率nicuzn材料及其制备方法。

技术介绍

1、铁氧体是一种具有铁磁性的陶瓷材料，被广泛应用于电子、通信、能源和环保等领域。在铁氧体材料中，nicuzn铁氧体由于具有优异的磁性能和良好的烧结性能，被视为一种重要的软磁材料。

2、然而，传统的nicuzn铁氧体材料在制备过程中通常需要在较高的温度下进行烧结，这不仅增加了生产成本，还可能导致材料内部的晶体结构发生变化，影响其磁性能。此外，目前制备的nicuzn铁氧体材料的磁导率普遍较高，同时磁损耗较高、机械强度偏低，无法满足某些特定应用中对低磁导率材料的需求。

3、如，在某些磁场测量或磁性感应的传感器应用中，需要使用低磁导率材料来减少磁性干扰的影响，提高测量精度和稳定性；在电磁干扰抑制领域，电子设备和系统中的电磁干扰问题日益严重，低磁导率材料可以用于电磁屏蔽和干扰抑制，有效地降低电磁辐射和干扰的影响；在能量转换领域，在磁性发电和磁流体发电等能量转换技术中，需要使用低磁导率材料来减少磁性损失，提高能量转换效率；以及在生物医疗领域，在核本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料，其特征在于，包括主成分和添加剂；其中，所述主成分包括以下摩尔百分比原料：Fe2O3 40.0-48.0mol%，ZnO 1-10mol%，NiO 35-45mol%，余量为CuO；以所述主成分的重量为计算基准，所述添加剂包括以下质量百分比原料：SiO21.0-5.0wt%、CaCO3 1.5-7.5wt%、WO3 0.5-1.5wt%和Bi2O3 0.1-0.5wt%中一种或多种。

2.根据权利要求1所述的一种低温烧结超低磁导率NiCuZn材料，其特征在于，所述添加剂包括以下质量百分比原料：CaCO3 1.5-7.5wt%和WO3 ...

【技术特征摘要】

1.一种低温烧结超低磁导率nicuzn材料，其特征在于，包括主成分和添加剂；其中，所述主成分包括以下摩尔百分比原料：fe2o3 40.0-48.0mol%，zno 1-10mol%，nio 35-45mol%，余量为cuo；以所述主成分的重量为计算基准，所述添加剂包括以下质量百分比原料：sio21.0-5.0wt%、caco3 1.5-7.5wt%、wo3 0.5-1.5wt%和bi2o3 0.1-0.5wt%中一种或多种。

2.根据权利要求1所述的一种低温烧结超低磁导率nicuzn材料，其特征在于，所述添加剂包括以下质量百分比原料：caco3 1.5-7.5wt%和wo3 0.5-1.5wt%。

3.根据权利要求1所述的一种低温烧结超低磁导率nicuzn材料，其特征在于，所述添加剂包括以下质量百分比原料：sio2 3wt%、caco3 4.5wt%、wo3 1wt%和bi2o3 0.3wt%。

4.根据权利要求1所述的一种低温烧结超低磁导率nicuzn材料，其特征在于，所述主成分包括以下摩尔百分比原料：fe2o3 42.2-45.6mol%，zno 3.5-6.3mol%，ni...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈旭彬，
申请(专利权)人：中山市东晨磁性电子制品有限公司，
类型：发明
国别省市：