【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种等离子体处理竖立石墨烯制备金刚石的新方法。
技术介绍
1、金刚石具有极其优异的物理化学性质，如硬度高、热导率高、禁带宽、耐化学腐蚀能力强等，在工业加工、电子器件、电化学电极等领域有极为广泛的应用前景。尤其是作为宽禁带半导体材料的典型代表，金刚石被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件最有希望的材料，对未来综合国力、国防安全有重大影响。
2、目前，高温高压(hpht)法和化学沉积(cvd)法是制备金刚石最常用的手段。高温高压法模拟了天然钻石在地下生长的自然机理，一般需要10gpa、3000℃以上的压力和温度，让石墨中的碳原子重新组合成金刚石结构。采用hpht法制备的金刚石在硬度和晶体结构上与天然金刚石相同，在工业中广泛应用。然而hpht法合成高质量的块状单晶金刚石的实验条件极为苛刻，其相变所需的压力高达几千兆帕甚至更高，而温度条件也高达几千摄氏度，制备成本高，并且制备大块单晶的难度较高。cvd金刚石的主要制备方法包括热丝化学气相沉积(hfcvd)法、微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)法、燃...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理竖立石墨烯制备金刚石的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的等离子体处理竖立石墨烯制备金刚石的方法，其特征在于：步骤S1中所述的单晶硅片是购自浙江立晶光电科技有限公司的P型<100>单面抛光硅片。
3.如权利要求1所述的等离子体处理竖立石墨烯制备金刚石的方法，其特征在于步骤S1中所述预处理的硅片经过如下操作得到：将所述单晶硅片用1000目砂纸打磨，依次用有机溶剂、去离子水清洗，氮气枪吹干，得到所述预处理的硅片；所述有机溶剂为无水乙醇或丙酮。
4.如权利要求1所述的等离子体处理竖...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理竖立石墨烯制备金刚石的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的等离子体处理竖立石墨烯制备金刚石的方法，其特征在于：步骤s1中所述的单晶硅片是购自浙江立晶光电科技有限公司的p型<100>单面抛光硅片。
3.如权利要求1所述的等离子体处理竖立石墨烯制备金刚石的方法，其特征在于步骤s1中所述预处理的硅片经过如下操作得到：将所述单晶硅片用1000目砂纸打磨，依次用有机溶剂、去离子水清洗，氮气枪吹干，得到所述预处理的硅片；所述有机溶剂为无水乙醇或丙酮。
4.如权利要求1所述的等离子体处理竖立石墨烯制备金刚石的方法，其特征在于：步骤s2中所述氢气的气体流量为500sccm，所述甲烷的气体流量为40sccm。
5.如权利要求1所述的等离子体处理竖立石墨烯制备金刚石的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓君，何承全，陈成克，洪鲁枭，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：
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