一种RRAM的故障测试方法技术

本发明专利技术属于集成电路领域，公开了一种RRAM的故障测试方法，对所有常规存储器的故障模型以及RRAM特有故障模型的故障原语进行分析，得到能够检测故障模型的测试序列；使用得到的测试序列在March‑C‑，March C*‑1T1R等算法基础上推导出能覆盖大部分常规存储器故障以及RRAM特有故障的March‑RAWR算法；以March‑RAWR算法为核心，构建一个适用于RRAM存储器的内建自测试MBIST电路；对RRAM存储器注入故障，并运行MBIST电路进行故障测试，记录故障单元地址。该方法提出的March RAWR算法故障覆盖率高达89.92%。该方法搭建的内建自测试电路结构简单，额外占用面积小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路领域，具体是涉及一种rram的故障测试方法。

技术介绍

1、阻变随机存储器（rram）是一种新兴的存储器技术，其与主流的存储器技术动态随机存储存储器（dram）和闪存（flash）相竞争。rram与主流存储技术的区别在于，数据是根据电阻而不是电荷来存储的，这意味着rram不会受到与电荷存储相关的缩放限制；此外，rram是一种非易失性存储器（nvm），具有高内存密度、低功耗、与标准互补金属氧化物半导体（cmos）工艺的后端线（beol）兼容等优点，在存储技术、内存计算、逻辑系统等各个领域得到了广泛的应用，因此rram有望在未来取代传统存储器。然而，它的纳米级制造过程引入了不确定性，导致发生故障和随后的读取误差。

2、有研究表明常规存储器的故障同样会出现在rram上，而且rram还存在与常规存储器不同的特殊故障。目前，主流的算法并不能有效检测rram的特殊故障，如专利申请cn112750486a公开了一种阻变存储器的故障测试方法，专利申请cn114171100a公开了一种高故障覆盖率的阻变存储器的测试方法，其均仅使用简单的读写本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种RRAM的故障测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种RRAM的故障测试方法，其特征在于，所述RRAM故障模型包含RRAM特殊故障以及常规故障，所述RRAM特殊故障包括Deep故障、USF故障、CFud故障和dCFud故障；所述常规故障包括静态单单元故障、静态双单元故障、动态单单元故障、动态双单元故障。

3.根据权利要求2所述的一种RRAM的故障测试方法，其特征在于，RRAM根据电阻大小不同共有五种状态，即Deep1，Logic 1， USF，Logic 0，Deep0；对于处于未定义态的RRAM，设置两个处在USF状态边界的电阻...

【技术特征摘要】

1.一种rram的故障测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种rram的故障测试方法，其特征在于，所述rram故障模型包含rram特殊故障以及常规故障，所述rram特殊故障包括deep故障、usf故障、cfud故障和dcfud故障；所述常规故障包括静态单单元故障、静态双单元故障、动态单单元故障、动态双单元故障。

3.根据权利要求2所述的一种rram的故障测试方法，其特征在于，rram根据电阻大小不同共有五种状态，即deep1，logic 1， usf，logic 0，deep0；对于处于未定义态的rram，设置两个处在usf状态边界的电阻rref1和rref0分别对应rref1和rref0读操作的参考电阻，rref0&g...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡志匡，华辰飞，连晓娟，王磊，肖建，徐彬彬，王子轩，郭宇锋，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：