【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超级电容，更具体地说，它涉及一种低温注塑成型的超级电容及其加工工艺。
技术介绍
1、超级电容器是相对于传统电容器而言具有更高容量的一种电容器，主要由电极材料、隔膜、电解液和外壳组成，它将电极片及隔膜卷绕成电芯之后，浸渍电解液并封装于铝壳中组装成电容器。其主要通过电极和电解液界面形成双电荷层进行能量存储，具有循环寿命长、功率密度高、温度范围宽等优点，被广泛应用于电动玩具、智能三表、消费电子、汽车电子等领域。
2、现有的超级电容器的密封性还不够高，某些电解液仍然能向外渗出，漏液会严重影响超级电容器的电性能和寿命甚至对使用设备造成破坏。
3、因此亟需一种新的技术方案来解决上述技术问题。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种低温注塑成型的超级电容及其加工工艺。
2、本专利技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种低温注塑成型的超级电容，包括单个电容单体，所述电容单体包括铝壳、电芯、端盖及两根引线，所述铝壳侧壁顶部沿其圆周方向向内凹陷形成有限位凹槽，还包括套设于所述铝壳位于限位凹槽周侧的限位件，所述铝壳的外表面通过低温注塑成型有注塑外壳。
3、通过采用上述技术方案，通过在铝壳与端盖的外表面低温注塑形成注塑外壳，从而大大提升了电容单体的结构强度与密封性，从而降低其使用时发生形变和漏液的可能，提升其使用寿命。
4、本专利技术进一步设置为：所述注塑外壳全包覆于电容单体的外表面，所述
5、本专利技术进一步设置为：所述注塑外壳半包覆于电容单体的顶部，所述端盖与限位件均位于注塑外壳内部，所述引线伸出注塑外壳的表面。
6、本专利技术进一步设置为：所述限位件包括呈半圆环设置的第一限位环与第二限位环，所述第一限位环与第二限位环的内侧壁设置有贴合于限位凹槽的定位环，所述第一限位环的两端开设有插接槽，所述第二限位环的两端设置有插设并固定于插接槽内的插接件。
7、本专利技术进一步设置为：所述端盖的圆周侧壁开设有配合于限位凹槽的环形槽。
8、本专利技术进一步设置为：所述第一限位环与第二限位环的圆周外侧壁沿竖直方向设置有连接条。
9、本专利技术进一步设置为：所述第一限位环的圆周侧壁设置有楔形槽，所述第二限位环的圆周侧壁设置有插设于楔形槽内的楔形块。
10、一种用于超级电容的加工工艺，包括如下步骤：
11、s1、将电芯置于铝壳内，并将端盖置于铝壳顶部并制成电容单体；
12、s2、并通过在铝壳侧壁顶部进行压制并形成限位凹槽，以对端盖启动固定作用；
13、s3、将限位件套设于限位凹槽处；
14、s4、通过低温注塑工艺在铝壳与端盖的表面形成密封的注塑外壳。
15、9.根据权利要求8所述的一种超级电容的加工工艺，其特征在于：所述步骤3中，根据所需电容规格，选择若干个数的电容单体，并通过限位件将若干个电容单体进行连接，并将相邻两个电容单体的引线进行连接。
16、本专利技术具有以下有益效果：通过在铝壳与端盖的外表面低温注塑形成注塑外壳，从而大大提升了电容单体的结构强度与密封性，从而降低其使用时发生形变和漏液的可能，提升其使用寿命。
17、附图说明
18、图1为具体实施例一中两种超级电容的立体结构示意图；
19、图2为具体实施例一中电容单体与限位件的安装结构示意图；
20、图3为具体实施例一中电容单体的结构示意图；
21、图4为具体实施例一中限位件的结构示意图；
22、图5为具体实施例二中两种超级电容的立体结构示意图；
23、图6为具体实施例二中电容单体与限位件的安装结构示意图。
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1.一种低温注塑成型的超级电容，其特征在于：包括单个电容单体，所述电容单体包括铝壳(1)、电芯、端盖(2)及两根引线(3)，所述铝壳(1)侧壁顶部沿其圆周方向向内凹陷形成有限位凹槽(4)，还包括套设于所述铝壳(1)位于限位凹槽(4)周侧的限位件(5)，所述铝壳(1)的外表面通过低温注塑成型有注塑外壳(6)。
2.根据权利要求1所述的一种低温注塑成型的超级电容，其特征在于：所述注塑外壳(6)全包覆于电容单体的外表面，所述端盖(2)与限位件(5)均位于注塑外壳(6)内部，所述引线(3)伸出注塑外壳(6)的表面。
3.根据权利要求1所述的一种低温注塑成型的超级电容，其特征在于：所述注塑外壳(6)半包覆于电容单体的顶部，所述端盖(2)与限位件(5)均位于注塑外壳(6)内部，所述引线(3)伸出注塑外壳(6)的表面。
4.根据权利要求1所述的一种低温注塑成型的超级电容，其特征在于：所述限位件(5)包括呈半圆环设置的第一限位环(7)与第二限位环(8)，所述第一限位环(7)与第二限位环(8)的内侧壁设置有贴合于限位凹槽(4)的定位环(9)，所述第一限位环(7)
5.根据权利要求4所述的一种低温注塑成型的超级电容，其特征在于：所述端盖(2)的圆周侧壁开设有配合于限位凹槽(4)的环形槽。
6.根据权利要求1所述的一种低温注塑成型的超级电容，其特征在于：所述第一限位环(7)与第二限位环(8)的圆周外侧壁沿竖直方向设置有连接条(12)。
7.根据权利要求5所述的一种低温注塑成型的超级电容，其特征在于：所述第一限位环(7)的圆周侧壁设置有楔形槽(13)，所述第二限位环(8)的圆周侧壁设置有插设于楔形槽(13)内的楔形块(14)。
8.一种用于如权利要求1-7任意超级电容的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：
9.根据权利要求8所述的一种超级电容的加工工艺，其特征在于：所述步骤3中，根据所需电容规格，选择若干个数的电容单体，并通过限位件(5)将若干个电容单体进行连接，并将相邻两个电容单体的引线(3)进行连接。
...【技术特征摘要】
1.一种低温注塑成型的超级电容，其特征在于：包括单个电容单体，所述电容单体包括铝壳(1)、电芯、端盖(2)及两根引线(3)，所述铝壳(1)侧壁顶部沿其圆周方向向内凹陷形成有限位凹槽(4)，还包括套设于所述铝壳(1)位于限位凹槽(4)周侧的限位件(5)，所述铝壳(1)的外表面通过低温注塑成型有注塑外壳(6)。
2.根据权利要求1所述的一种低温注塑成型的超级电容，其特征在于：所述注塑外壳(6)全包覆于电容单体的外表面，所述端盖(2)与限位件(5)均位于注塑外壳(6)内部，所述引线(3)伸出注塑外壳(6)的表面。
3.根据权利要求1所述的一种低温注塑成型的超级电容，其特征在于：所述注塑外壳(6)半包覆于电容单体的顶部，所述端盖(2)与限位件(5)均位于注塑外壳(6)内部，所述引线(3)伸出注塑外壳(6)的表面。
4.根据权利要求1所述的一种低温注塑成型的超级电容，其特征在于：所述限位件(5)包括呈半圆环设置的第一限位环(7)与第二限位环(8)，所述第一限位环(7)与第二限位环(8)的内侧壁设置有贴合于限位凹槽(4...
【专利技术属性】
技术研发人员：张直上，
申请(专利权)人：皋德科技浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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