多位存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

提供了存储器装置及其操作方法。通常，装置包括：多位存储器单元阵列，每个多位存储器单元可操作用于在电荷俘获层的分离位置中存储多个位；以及耦合到阵列的控制电路。控制电路可操作用于基于所生成的第一感测电流和第二感测电流分别读取每个单元的第一位值和第二位值，其中第一感测电流和第二感测电流对应于在第一位位置和第二位位置中俘获的电荷。控制电路基于第一感测电流和第二感测电流执行算法，并确定单元的逻辑状态。在一个实施例中，控制电路对感测到的电流进行平均，并将其与参考电流进行比较以确定逻辑状态。在另一个实施例中，第二位值是第一位值的补码，并且控制电路比较电流以在不使用参考电流的情况下确定逻辑状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开总体上涉及半导体存储器装置，更特定而言，涉及多位存储器装置和用于操作所述多位存储器装置以提供高可靠性和改进的数据保持的方法。

技术介绍

1、非易失性存储器装置广泛用于需要在电力终止时保持信息的电子设备中。非易失性存储器装置包括使用浮栅或电荷俘获技术的存储器晶体管。

2、多位存储器装置是包括多位存储器单元的存储器装置，每个多位存储器单元能够在单个电荷俘获非易失性存储器晶体管中存储多位。一种特定类型的多位存储器单元是(以下称为加利福尼亚州圣何塞的cypress半导体公司的“mirrorbit”)单元，其中存储器阵列的nor架构和电荷俘获氮化物层的非导电性质允许单个晶体管在同一器件的每个单元(2bpc)存储两个空间上分离的物理数据位。参考图1，mirrorbit单元100大体上包括电荷俘获栅极堆叠体102，电荷俘获栅极堆叠体102包括形成在衬底116中分离第一源极-漏极(s/d)区域114a和第二源极-漏极(s/d)区域114b的沟道112之上的控制栅极104、顶部或阻挡电介质层106、电荷俘获层108和底部电介质层110。通过适当的偏置，mi本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一位值和所述第二位值包括相同存储值，并且其中，所述控制电路能够操作用于执行所述算法以对所述第一电流和所述第二电流进行平均，从而确定所述一个多位存储器单元的所述逻辑状态。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制电路包括处理器，所述处理器能够操作用于：

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制电路包括：

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二位值存储在所述第二位位置中且是存储在所述第一位位置中的所述第一位值的补码，并且其中，所述控制电路...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一位值和所述第二位值包括相同存储值，并且其中，所述控制电路能够操作用于执行所述算法以对所述第一电流和所述第二电流进行平均，从而确定所述一个多位存储器单元的所述逻辑状态。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制电路包括处理器，所述处理器能够操作用于：

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制电路包括：

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二位值存储在所述第二位位置中且是存储在所述第一位位置中的所述第一位值的补码，并且其中，所述控制电路能够操作用于执行所述算法以将对应于在第一位位置中俘获的电荷的所述第一电流与对应于在第二位位置中俘获的电荷的所述第二电流进行比较，并且基于所述第一电流与所述第二电流之间的差来确定所述一个多位存储器单元的所述逻辑状态。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述控制电路包括处理器，所述处理器能够操作用于：

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述处理器能够操作用于在不使用参考电流的情况下确定所述一个多位存储器单元的所述逻辑状态。

8.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述控制电路包括：

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制电路能够操作用于执行所述算法以：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述单元电流是预定的最大单元电流，并且其中，将所述单元电流与所述参考电流进行比较包括将所述最大单元电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·什洛莫，A·吉万特，Y·索弗，
申请(专利权)人：英飞凌科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：