一种基于半桥IPM功率的电流采样电路制造技术

本技术提供了一种基于半桥IPM功率的电流采样电路，包括电流采样电阻和IPM功率芯片，所述IPM功率芯片中包括驱动IC、MOS1管和MOS2管，所述MOS1管和MOS2管组成半桥电路，所述IPM功率芯片的9引脚与所述电流采样电阻的一端电性连接，所述电流采样电阻的另一端与所述IPM功率芯片的8引脚电性连接；所述MOS1管的源极连接所述MOS2管的漏极，同时连接10引脚和所述驱动IC的VS引脚，所述MOS1管的栅极连接所述驱动IC的HO引脚，所述MOS2管的栅极连接所述驱动IC的LO引脚；本技术驱动IC对两个MOS管驱动控制，简化了驱动电路电源，两个MOS管的射极分流式，采样电阻上流过的电流很小，流过开关器件上的电流成正比例关系，减少电子器件的需求，达到检测的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及智能功率模块领域，具体而言，涉及一种基于半桥ipm功率的电流采样电路。

技术介绍

1、智能功率模块ipm是一种先进的功率开关器件，具有gtr(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点，以及mosfet(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且智能功率模块内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路，使用起来方便，不仅减小了系统的体积以及开发时间，也大大增强了系统的可靠性，适应了当今功率器件的发展方向——模块化、复合化和功率集成电路(pic)，在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。

2、现有的电机驱动产品有着越来越小型化，高功率密度化的趋势，ipm相比于传统单管方案有着明显优势，但在一些应用例如高速风筒中，内部空间小且不规整，常见ipm因其功能及封装形式固定，布局受限，不能很好地与产品匹配，以及不能够有效的实现对电流进行采集，实现mos管的通断进行控制调节等问题。

技术实现思路

1、为了弥补以上不足，本技术提供了一种基于半桥ipm功率的电流采样电路，用于解决上述提出的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于半桥IPM功率的电流采样电路，其特征在于，包括有电流采样电阻和IPM功率芯片，所述IPM功率芯片中包括有驱动IC、MOS1管和MOS2管，所述MOS1管和MOS2管组成半桥电路，所述MOS1管和所述MOS2管与所述驱动IC电性连接，所述IPM功率芯片的9引脚与所述电流采样电阻的一端电性连接，所述电流采样电阻的另一端与所述IPM功率芯片的8引脚电性连接，所述电流采样电阻的另一端还与需要检测的电路电性连接，所述驱动IC内包括有运放器，所述运放器的负输入信号PGA-pad连接8引脚，即所述运放器的负输入信号PGA-pad与所述电流采样电阻的另一端电性连接；>

2.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种基于半桥ipm功率的电流采样电路，其特征在于，包括有电流采样电阻和ipm功率芯片，所述ipm功率芯片中包括有驱动ic、mos1管和mos2管，所述mos1管和mos2管组成半桥电路，所述mos1管和所述mos2管与所述驱动ic电性连接，所述ipm功率芯片的9引脚与所述电流采样电阻的一端电性连接，所述电流采样电阻的另一端与所述ipm功率芯片的8引脚电性连接，所述电流采样电阻的另一端还与需要检测的电路电性连接，所述驱动ic内包括有运放器，所述运放器的负输入信号pga-pad连接8引脚，即所述运放器的负输入信号pga-pad与所述电流采样电阻的另一端电性连接；

2.根据权利要求1所述的一种基于半桥ipm功率的电流采样电路，其特征在于，所述驱动ic的vb接口与所述ipm功率芯片的1引脚电性连接，且1引脚为所述ipm功率芯片的高侧自举电源端。

3.根据权利要求1所述的一种基于半桥ipm功率的电流采样电路，其特征在于，所述驱动ic的vcc接口和com接口分别与...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹玉君，陈小红，温国椋，唐华平，
申请(专利权)人：黄桷树半导体重庆有限公司，
类型：新型
国别省市：