【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光伏电池的生产方法，尤其是一种光伏硅片电池的蚀刻方法。
技术介绍
1、光伏硅电池采用电镀铜工艺在pvd进行铜种子层溅射的过程中不可避免会在硅片的四周溅射上铜。硅片四周存在种子层铜的情况如果不对四周进行绝缘处理直接电镀会导致电池的两面正负极之间存在短路。因电镀铜之前需要对硅片四周进行包覆油墨处理防止硅片四周电镀上铜。
2、基本流程如下：
3、pvd溅射铜导电种子层→丝印湿膜→烘烤1→曝光→显影→油墨包边→烘烤2→电镀铜→退膜→蚀刻种子层
4、油墨包边因为硅片的形变和油墨自身的扩散性、硅片自身存在倒角，导致油墨包边设备复杂、良率低、容易发生油墨进栅线或局部位置油墨未包住边等问题。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本专利技术提供一种光伏硅片电池的蚀刻方法，具体技术方案为：
2、一种光伏硅片电池的蚀刻方法，包括以下步骤：pvd溅射铜导电种子层；丝印湿膜；烘烤；曝光；边缘种子层蚀刻；显影；电镀铜；退膜；蚀刻种子层。
3、...
【技术保护点】
1.一种光伏硅片电池的蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种光伏硅片电池的蚀刻方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的一种光伏硅片电池的蚀刻方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的一种光伏硅片电池的蚀刻方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种光伏硅片电池的蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种光伏硅片电池的蚀刻方法，其特征在于，
<...【专利技术属性】
技术研发人员：王学卫，谷士斌，李广欣，
申请(专利权)人：无锡釜川科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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