【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种钙钛矿型cspbbr3陶瓷，具体涉及一种cspbbr3陶瓷及其制备方法和应用。
技术介绍
1、卤化物钙钛矿的块体陶瓷材料在开发低成本、高性能的光电器件（如光伏面板和光电探测器阵列）方面有着巨大的前景。在尖端材料和相关信息技术的快速发展等因素的推动下，窄带光电探测器可广泛应用于颜色识别成像、生物传感、自动控制和光通信等各个领域，而且上述领对窄带光电探测器的需求也越来越大。
2、一般来说，窄带光电探测要实现对光谱响应的选择性有两种方式：
3、第一种是输入光学滤波（iof）；这是当前商业化的窄带光电探测器的主流解决方案，即在宽带光电探测器上安装复杂而昂贵的带通滤波器。
4、另一种方式被称为内部滤波（if），即仅依赖材料内部吸收层进行直接窄带检测，不需要额外添加光学介质。
5、直接窄带检测通常通过自陷态辅助电荷收集变窄和不平衡电荷载流子传输来实现。由于卤化物钙钛矿成分可调，因此其具有实现窄带光电探测的良好潜力。而在卤化物钙钛矿（如cspbbr3，缩写为cbp）中，基于溶液法制备得...
【技术保护点】
1.一种CsPbBr3陶瓷，其特征在于：
2.如权利要求1所述的CsPbBr3陶瓷的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
3.如权利要求2所述的CsPbBr3陶瓷的制备方法，其特征在于：
4.如权利要求2所述的CsPbBr3陶瓷的制备方法，其特征在于：
5.如权利要求4所述的CsPbBr3陶瓷的制备方法，其特征在于：
6.如权利要求5所述的CsPbBr3陶瓷，其特征在于：
7.如权利要求6所述的CsPbBr3陶瓷的制备方法，其特征在于：
8.如权利要求6所述的CsPbBr3陶瓷的制备方
【技术特征摘要】
1.一种cspbbr3陶瓷，其特征在于：
2.如权利要求1所述的cspbbr3陶瓷的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
3.如权利要求2所述的cspbbr3陶瓷的制备方法，其特征在于：
4.如权利要求2所述的cspbbr3陶瓷的制备方法，其特征在于：
5.如权利要求4所述的cspbbr3陶瓷的制备方法，其特征在于：
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