【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体用超净高纯化学试剂生产，特别涉及一种高纯有机溶剂中的除硼装置，以及该除硼装置的除硼方法。
技术介绍
1、在半导体行业中，有机溶剂(如异丙醇、丙酮等)作为半导体制造过程中最广泛使用的溶剂，主要用于晶圆的漂洗或作为清洗剂使用，溶剂的纯度尤其是硼(b)元素含量对产品质量有着至关重要的影响。硼属于p型半导体受主杂质，若过量会使n型硅片反型，导致产品不良，因此控制硼的含量成为一项重要课题。
2、硼在溶液或溶剂中主要以硼酸或者硼酸根形式存在，硼的存在会形成一种弱酸环境，给除硼造成一定困难。目前常用的除硼方法包括吸附法、精馏及膜分离法等，一般可以控制硼的含量在100ppt以内。但精馏法往往工艺较为复杂，能耗较高；而吸附法由于成本低、材料易于获取等优势成为最常用的除硼方法，其中螯合树脂是从低浓度溶液中除硼的最有效的吸附剂材料之一。其作用过程是螯合树脂的特征在于两个官能团二醇和叔胺，硼酸盐离子被二醇固定化形成络合物，然后在过程中释放的质子被叔胺基团中和使反应平衡向前移动。但由于硼酸盐离子和吸附剂之间的强相互作用，必需使用浓...
【技术保护点】
1.一种高纯有机溶剂中的除硼装置，其特征在于，包括依次连通的原料罐(1)、吸附塔(3)、除硼膜分离组件(6)和收集装置(9)；
2.根据权利要求1所述除硼装置，其特征在于：所述吸附塔(3)出口侧和所述第二除硼膜分离组件(61)渗透侧分别连接有第一硼表(4)和第二硼表(7)以实时监测溶剂中硼元素含量。
3.根据权利要求2所述除硼装置，其特征在于：所述第二除硼膜分离组件(61)渗透侧出口分别连接所述收集装置(9)和所述吸附塔(3)，并且在渗透侧出口和所述吸附塔(3)进口管路上设有第二阀门(8)装置。
4.根据权利要求3所述除硼装置，其特...
【技术特征摘要】
1.一种高纯有机溶剂中的除硼装置，其特征在于，包括依次连通的原料罐(1)、吸附塔(3)、除硼膜分离组件(6)和收集装置(9)；
2.根据权利要求1所述除硼装置，其特征在于：所述吸附塔(3)出口侧和所述第二除硼膜分离组件(61)渗透侧分别连接有第一硼表(4)和第二硼表(7)以实时监测溶剂中硼元素含量。
3.根据权利要求2所述除硼装置，其特征在于：所述第二除硼膜分离组件(61)渗透侧出口分别连接所述收集装置(9)和所述吸附塔(3)，并且在渗透侧出口和所述吸附塔(3)进口管路上设有第二阀门(8)装置。
4.根据权利要求3所述除硼装置，其特征在于：所述收集装置(9)连接有真空泵(13)，并在所述收集装置(9)一侧设有样品采出口和溢流管路(12)，所述样品采出口通过第三阀门(10)与样品瓶(11)连接。
5.根据权利要求1-4任一项所述除硼装置，其特征在于：所述原料罐(1)、吸附塔(3)、除硼膜分离组件(6)和收集装置(9)的...
【专利技术属性】
技术研发人员：邢卫红，丁晓斌，相里粉娟，孙雪飞，李旭洋，
申请(专利权)人：江苏久膜高科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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