一种半导体激光器巴条及芯片的老化筛选方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体激光器巴条及芯片的老化筛选方法，包括：1)对半导体激光器外延片的P面及侧面进行切割，均形成四边形图形，且四周切割道未完全分割开；2)在四边形图形的P面及N面上放置导电四边形金属片，并在四边形图形靠里的非边缘的侧面放置不导电四边形金属片；烘烤使得导电四边形金属片贴紧四边形图形的P面及N面上；3)测试得到老化筛选前测试结果；4)测试老化筛选后测试结果，进行比对，判断半导体激光器巴条及芯片是否合格的。本发明专利技术从根本上解决了老化筛选周期长、时效差的问题，此方法操作简单，老化筛选时效可缩短60％以上，且能有效的完成半导体激光器巴条及芯片老化筛选，减少不必要的制造浪费。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体激光器巴条及芯片的老化筛选方法，属于光电子。

技术介绍

1、半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长易于调制及价格低廉等优点，在工业、医疗和军事领域得到了广泛的应用，如材料加工、光纤通讯、激光测距、目标指示、激光制导、激光雷达、空间光通信等。近几年，随着半导体激光器输出功率的大幅度提高，应用范围越来越广，对激光器的可靠性要求也越来越高。

2、半导体激光器的主要退化模式有：有源区退化、腔面退化、电极和欧姆接触退化。有源区退化可以分成两类：均匀退化，暗线缺陷和暗点缺陷，这些缺陷在适当的温度下会增殖，不断扩散会在晶体中逐渐形成位错线、位错网格，范围不断扩大使得注入载流子的非辐射复合速度增加，电流阈值不断增加。腔面退化机理主要有三种情况：腔面灾变光学损伤cod、化学腐蚀和位错生长。在高峰值功率密度的激光作用下，由于近场的不均匀局部过热、氧化、腐蚀等因素使腔面受到损伤增加表面态复合或光吸收，形成更多的表面态。这样使得注入电流密度增加，局部大量发热，造成解离面局部熔融分解增加表面态复合速度。而温度增加又使吸收系数增加形成恶性循本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光器巴条及芯片的老化筛选方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器巴条及芯片的老化筛选方法，其特征在于，步骤1)中，P面及侧面切割时，切透所述外延层并切割至所述衬底。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器巴条及芯片的老化筛选方法，其特征在于，步骤1)中，P面及侧面切割时，切割深度为半导体激光器外延片总厚度的1/5至1/4；四边形图形为长方形图形，长方形图形的长为400-420μm，宽为190-210μm；切割道的宽度为15-25μm；侧面切割距离半导体激光器外延片的边缘20-100μm。>

4.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器巴条及芯片的老化筛选方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器巴条及芯片的老化筛选方法，其特征在于，步骤1)中，p面及侧面切割时，切透所述外延层并切割至所述衬底。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器巴条及芯片的老化筛选方法，其特征在于，步骤1)中，p面及侧面切割时，切割深度为半导体激光器外延片总厚度的1/5至1/4；四边形图形为长方形图形，长方形图形的长为400-420μm，宽为190-210μm；切割道的宽度为15-25μm；侧面切割距离半导体激光器外延片的边缘20-100μm。

4.根据权利要求3所述的一种半导体激光器巴条及芯片的老化筛选方法，其特征在于，步骤1)中，p面及侧面切割时，切割深度为半导体激光器外延片总厚度的1/5；长方形图形的长为410μm，宽为200μm；切割道的宽度为15μm；侧面切割距离半导体激光器外延片的边缘50μm。

5.根据权利要求1所述的一种半导体激光器巴条及芯片的老化筛选方法，其特征在于，导电四边形金属片...

【专利技术属性】
技术研发人员：牟婷婷，冯登桂，李莎莎，王倩，
申请(专利权)人：山东华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：