【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种激光器及其制品,尤其是一种垂直腔面发射激光模块、总成及设备。
技术介绍
1、垂直腔面发射激光器,又称vcsel激光芯片,是一种半导体,其具备有源区体积小、可高速调制、电光转换效率高等特点,目前一般用于实现单纵模、低阈值的工作。
2、在上一代产品中,陶瓷基板与冷却块之间会铺设铜基板,铜基板与冷却块之间涂覆导热硅脂,由于vcsel激光芯片的发热量巨大,此种结构导热效率偏低,在大功率长时间运作的工况下,可能会出现模块的热损伤,导致设备故障或损坏。
技术实现思路
1、鉴于上述状况,有必要提供一种解决上述至少一种问题的一种垂直腔面发射激光模块、总成及设备。
2、一种垂直腔面发射激光模块,包括陶瓷基板、以矩形阵列铺设于所述陶瓷基板上的若干个vcsel激光芯片、与所述陶瓷基板直接接触的冷却块,以及贯穿所述陶瓷基板与所述冷却块的铜引脚;
3、所述铜引脚导通所述陶瓷基板与外部电路,给所述vcsel激光芯片供电。
4、作为本技术的进一步方案:所述陶
...【技术保护点】
1.一种垂直腔面发射激光模块,其特征在于:包括陶瓷基板(100)、以矩形阵列铺设于所述陶瓷基板(100)上的若干个vcsel激光芯片(200)、与所述陶瓷基板(100)直接接触的冷却块(300),以及贯穿所述陶瓷基板(100)与所述冷却块(300)的铜引脚(400);
2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光模块,其特征在于:所述陶瓷基板(100)为方形,对应的所述冷却块(300)为长方体,所述陶瓷基板(100)设置在所述冷却块(300)的底面;
3.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光模块,其特征在于:所述陶瓷基板(100)分为芯片安装部和铜引脚
...【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光模块,其特征在于:包括陶瓷基板(100)、以矩形阵列铺设于所述陶瓷基板(100)上的若干个vcsel激光芯片(200)、与所述陶瓷基板(100)直接接触的冷却块(300),以及贯穿所述陶瓷基板(100)与所述冷却块(300)的铜引脚(400);
2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光模块,其特征在于:所述陶瓷基板(100)为方形,对应的所述冷却块(300)为长方体,所述陶瓷基板(100)设置在所述冷却块(300)的底面;
3.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光模块,其特征在于:所述陶瓷基板(100)分为芯片安装部和铜引脚导通部,二者之间导通;
4.一种垂直腔面发射激光总成,其特征在于:包括若干个权利要求1-3中任一所述的垂直腔面发射激光模块(500),若干所述垂直腔面发射激光模块(500)并列设置,所有的所述垂直腔面发射激光模块(50...
【专利技术属性】
技术研发人员:江青,
申请(专利权)人:深圳市贝橙科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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