具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器制造技术

提供一种具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其结构包括：第一分布式布拉格反射器；位于第一分布式布拉格反射器上的p型区；位于p型区远离第一分布式布拉格反射器一侧的第一电子阻挡层；位于第一电子阻挡层远离第一分布式布拉格反射器一侧的第二电子阻挡层；位于第二电子阻挡层远离第一分布式布拉格反射器一侧的量子阱有源区；位于量子阱有源区远离第一分布式布拉格反射器一侧的n型区；以及位于n型区远离第一分布式布拉格反射器一侧的第二分布式布拉格反射器。其中，第一电子阻挡层与第二电子阻挡层共同构成阶梯式电子阻挡层；以及第二分布式布拉格反射器位于激光器的出光侧。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体激光器，尤其涉及一种具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器。

技术介绍

1、氮化镓(gan)基垂直腔面发射激光器(vcsel)由于具有低阈值电流、单模输出、易于高频调制等优良特性，可用于光学存储、固态照明、光通信等多个领域，受到人们的广泛关注。然而受限于高质量反射镜制备困难和复杂的工艺流程，氮化镓基垂直腔面发射激光器的发展仍然处于起步阶段。在垂直腔面发射激光器结构中，由于反射镜不导电，电极需要放在谐振腔的边缘，因此需要提高载流子向中心区域电流孔径的注入效率。通常在外延结构的p型氮化镓和量子阱区域之间会设计一层电子阻挡层来抑制电子向p型区域的泄露，提高载流子的有效复合效率；然而在该电子阻挡层区域也会形成一个势垒阻挡空穴向量子阱中的注入，从而对提升激光器的发光效率造成不利影响。

技术实现思路

1、(一)要解决的技术问题

2、为解决现有技术中氮化镓基垂直腔面发射激光器所出现的上述技术问题至少之一，本公开的实施例提供了一种具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，将原来的单层氮化镓铝电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其中，

3.根据权利要求1或2所述的具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其中，

4.根据权利要求3所述的具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其中，

5.根据权利要求1或2所述的具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其中，

6.根据权利要求1所述的具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其中，所述p型区包括：

7.根据权利要求6所述的具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器...

【技术特征摘要】

1.一种具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其中，

3.根据权利要求1或2所述的具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其中，

4.根据权利要求3所述的具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其中，

5.根据权利要求1或2所述的具有阶梯式电子阻挡层的垂直腔面发射激光器，其中，

6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚晨，赵德刚，梁锋，杨静，刘宗顺，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：