【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般来说涉及用于从上面具有残余物及/或污染物的微电子装置清除所述残余物及/或污染物的没有四甲基氢氧化铵的组合物，其中所述组合物已改善钴的兼容性。
技术介绍
1、微电子装置晶片用于形成集成电路。微电子装置晶片包含衬底，例如硅，所述衬底区域被图案化以用于沉积具有绝缘、导电或半导电性质的不同材料。
2、为获得正确图案化，必须移除在于衬底上形成若干层中所使用的过量材料。此外，为制作功能性且可靠电路，在后续处理之前制备扁平或平坦的微电子晶片表面是重要的。因此，有必要移除及/或抛光微电子装置晶片的特定表面。
3、化学机械抛光或平坦化(“cmp”)是其中从微电子装置晶片的表面移除材料并通过耦合物理工艺(例如磨蚀)与化学工艺(例如氧化反应或螯合作用)而抛光表面(更明确地说，将表面平坦化)的工艺。在其最基本形式中，cmp涉及将浆料(例如，研磨剂与活性化学物质的溶液)施加到抛光垫，所述抛光垫擦拭微电子装置晶片的表面以实现移除、平坦化及抛光工艺。不期望移除或抛光工艺由纯物理或纯化学动作构成，而是两者进行协同组合来实现快速均匀...
【技术保护点】
1.一种用于清除来自微电子装置的残余物和/或污染物的组合物，其包括至少一种有机胺、至少一种溶剂、至少一种季碱和至少一种络合剂，其中所述组合物具有小于0.1wt.％的碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物及四甲基氢氧化铵，且不含表面活性剂，
2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种季碱包括胆碱氢氧化物。
3.根据前述任一权利要求所述的组合物，其进一步包括至少一种额外蚀刻剂，其中所述至少一种额外蚀刻剂选自由以下各项组成的群组：吗啉、二甘醇胺、3-丁氧基丙胺、丙二醇单丁醚、羟基乙基吗啉、羟基丙基吗啉、氨基乙基吗啉、氨基丙基吗啉、五甲基二乙烯三胺PM...
【技术特征摘要】
1.一种用于清除来自微电子装置的残余物和/或污染物的组合物，其包括至少一种有机胺、至少一种溶剂、至少一种季碱和至少一种络合剂，其中所述组合物具有小于0.1wt.％的碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物及四甲基氢氧化铵，且不含表面活性剂，
2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种季碱包括胆碱氢氧化物。
3.根据前述任一权利要求所述的组合物，其进一步包括至少一种额外蚀刻剂，其中所述至少一种额外蚀刻剂选自由以下各项组成的群组：吗啉、二甘醇胺、3-丁氧基丙胺、丙二醇单丁醚、羟基乙基吗啉、羟基丙基吗啉、氨基乙基吗啉、氨基丙基吗啉、五甲基二乙烯三胺pmdeta、三甲基氨基乙基乙醇胺、三甲基氨基丙基乙醇胺及其组合。
4.根据权利要求3所述的组合物，其中所述至少一种额外蚀刻剂包括吗啉、二甘醇胺或吗啉与二甘醇胺的组合。
5.根据前述任一权利要求所述的组合物，其进一步包括至少一种清洁添加剂，其中所述至少一种清洁添加剂选自由以下各项组成的群组：羟基丙基纤维素、羟基乙基纤维素、羧基甲基纤维素、钠羧基甲基纤维素na cmc、聚乙烯吡咯烷酮pvp、使用n-乙烯基吡咯烷酮单体制成的任何聚合物、聚丙烯酸酯及聚丙烯酸酯的类似物、聚丙氨酸、聚亮氨酸、聚甘氨酸、聚酰胺基羟基尿烷、聚内酯、聚丙烯...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·托马斯，D·弗赖伊，刘俊，M·怀特，D·怀特，王朝鈺，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：
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