【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于对蚀刻膜诸如含硅膜、含金属膜和有机膜进行干式蚀刻的方法，特别涉及用于采用包含具有以下通式的含si氢氟烃化合物的蚀刻气体混合物对蚀刻膜进行干式蚀刻的干式蚀刻方法、选择性干式蚀刻方法和循环选择性干式蚀刻方法：cxhyfzsin(i)其中1≤x≤6，1≤y≤9，1≤z≤15，n＝1或2。在一些实施例中，该含si氢氟烃含有至少一个甲基或包含至少一个附接至si原子的甲基。
技术介绍
1、最近，在高纵横比结构(孔洞、柱等)的形成过程中，控制轮廓(控制形状、减少缺陷和对结构的损坏等)和蚀刻速度成为制造新的半导体器件(3d nand和dram存储器、beol中的低k电介质)的重大挑战。这些器件，其是基于厚的氧化硅叠层和/或氮化硅和氧化硅的交替层，需要以快速的蚀刻速率进行蚀刻并保持确定的轮廓(没有蚀刻终止、弯曲、扭曲、或其他图案变形)。
2、需要在同一工艺中相对于彼此以高选择性对各种含si化合物进行选择性蚀刻以进行高级图案化。最优选的是所谓的“无限选择性”方案，其中非蚀刻材料不被蚀刻，或者当蚀刻目标材料在蚀刻工艺过程中被有效...
【技术保护点】
1.一种用于在衬底中形成孔的蚀刻方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻气体含有选自CF4、C2F6、C3F6、C4F6、C4F8、C5F8、C5F10、C6F12、C7F14、C8F16、CH2F2、CH3F、CHF3、C2H5F、C3H7F、C5HF7、C3H2F6、C3H4F2、C3H2F4、C4H2F6或C4H3F7的氟烃或氢氟烃的蒸气。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻气体含有选自O2、O3、CO、CO2、SO、SO2、FNO、NO、N2O、NO2、H2O、COS或其组合的氧化气体。
4.如权利...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于在衬底中形成孔的蚀刻方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻气体含有选自cf4、c2f6、c3f6、c4f6、c4f8、c5f8、c5f10、c6f12、c7f14、c8f16、ch2f2、ch3f、chf3、c2h5f、c3h7f、c5hf7、c3h2f6、c3h4f2、c3h2f4、c4h2f6或c4h3f7的氟烃或氢氟烃的蒸气。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻气体含有选自o2、o3、co、co2、so、so2、fno、no、n2o、no2、h2o、cos或其组合的氧化气体。
4.如权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻气体含有选自he、ar、xe、kr或ne的惰性气体。
5.如权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻气体含有选自h2、sf6、nf3、n2、nh3、cl2、bcl3、bf3、br2、f2、hbr、hcl或其组合的另外的气体。
6.如权利要求1所述的方法，其中，该含si氢氟烃具有通式cxhyfzsin，其中1≤x≤6，1≤y≤9，1≤z≤15，n＝1或2。
7.如权利要求6所述的方法，其中，该含si氢氟烃包含一个或多个甲基。
8.如权利要求7所述的方法，其中，该含si氢氟烃包含至少一个附接至si原子的甲基。
9.如权利要求1所述的方法，其中，该含si氢氟烃选自具有至少一个附接至si原子的甲基的ch4f2si、ch3f3si、c2h6f2si、c3h9fsi、c4h9f3si、c5h9f5si、c4h10f4si2、c2h6f4si2、c3h9f3si2、c6h9f7si或其异构体。
10.如权利要求1所述的方法，其中，该含si氢氟烃是ch3f3si或其异构体。
11.如权利要求1所述的方法，其中，该含si氢氟烃是c2h6f2si或其异构体。
12.如权利要求1所述的方法，其中，该含si氢氟烃是c4h9f3si或其异构体。
13.如权利要求1所述的方法，其中，该含si氢氟烃是c5h9f5si或其异构体。
14.如权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，该含硅膜包括一层siaobhccdne，其中a>0，b、c、d和e≥0，选自氧化硅、氮化硅、晶体si、多晶硅、多晶体硅、非晶硅、低k sicoh、siocn、sic、sion、或一层交替的氧化硅和氮化硅(onon)层或交替的氧化硅和多晶硅(opop)层。
15.如权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，在该衬底中形成的该孔具有在大约1...
【专利技术属性】
技术研发人员：尼古拉斯·戈塞特，V·加马列夫，长谷川智，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：
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