【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体组件，其包括至少两个尤其并联连接的半导体元件、绝缘基底和连接元件。本专利技术还涉及具有至少一个这种半导体组件的半导体模块。本专利技术还涉及具有至少一个这种半导体组件的功率转换器。此外，本专利技术涉及一种用于制造具有至少两个尤其并联连接的半导体元件、绝缘基底和连接元件的半导体组件的方法。
技术介绍
1、这种半导体组件通常用在安装在功率转换器中的半导体模块中。例如，电源转换器是整流器、交流转换器、逆变器或直流电压转换器。半导体模块中使用的半导体元件例如包括晶体管、双向可控硅、晶闸管或二极管。晶体管被实施为例如绝缘栅双极型晶体管(igbt)、场效应晶体管或双极型晶体管。在这种半导体模块中，可以使用布置在基底上的多个半导体元件、特别是半导体开关元件，其中，通过各个半导体元件的负载电流的几何分布取决于多个因素，因素包含半导体元件的布置及其与基底的接触方式。
2、经过并联连接的半导体元件的电流可以至少略有不同，使得功率损耗不会均匀地分布在半导体元件之间，从而形成所谓的热点。这导致了整体结构寿命的降低，因为寿命被出...
【技术保护点】
1.一种半导体组件(2)，具有绝缘基底(6)、连接元件(44)和至少两个尤其并联连接的半导体元件(4)，
2.根据权利要求1所述的半导体组件(2)，包括至少三个并联连接的、实施为分流电阻器和/或第三接合连接器的导电连接器(32，32a，32b，32c，32d)。
3.根据权利要求2所述的半导体组件(2)，其中，所述分流电阻器和/或所述第三接合连接器以材料接合的方式与所述基底(6)的所述第二导轨(12)和所述第三导轨(14)连接。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体组件(2)，其中，至少两个导电连接器(32，32a，32b，32...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体组件(2)，具有绝缘基底(6)、连接元件(44)和至少两个尤其并联连接的半导体元件(4)，
2.根据权利要求1所述的半导体组件(2)，包括至少三个并联连接的、实施为分流电阻器和/或第三接合连接器的导电连接器(32，32a，32b，32c，32d)。
3.根据权利要求2所述的半导体组件(2)，其中，所述分流电阻器和/或所述第三接合连接器以材料接合的方式与所述基底(6)的所述第二导轨(12)和所述第三导轨(14)连接。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体组件(2)，其中，至少两个导电连接器(32，32a，32b，32c，32d)在所述导电连接器的阻抗方面不同。
5.根据权利要求4所述的半导体组件(2)，其中，不同的所述阻抗由具有不同电导率的材料和/或由不同的导体几何形状产生。
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体组件(2)，其中，所述第二导轨(12)通过至少三个基本相同构造的导电连接器(32，32a，32b，32c，32d)与所述基底(6)的所述第三导轨(14)连接，其中，第一导电连接器(32a)具有距第二导电连接器(32b)的第一距离(d1)，其中，第二导电连接器(32b)具有距第三导电连接器(32c)的第二距离(d2)，并且其中，所述第二距离(d2)大于所述第一距离(d1)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体组件(2)，其中，所述半导体元件(4)相对于所述基底(6)上的中央纵轴(m)以一角度并且不对称地连接。
8.根据权利要求7所述的半导体组件(2)，其中，所述半导体元...
【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·恩德雷斯，罗伯特·戈斯波斯，贝恩德·屈滕，费利克斯·蔡斯，
申请(专利权)人：西门子股份公司，
类型：发明
国别省市：
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