一种通过巯基咪唑掺杂空穴传输层提升反式钙钛矿太阳能电池性能的方法技术

技术编号:41450358 阅读:30 留言:0更新日期:2024-05-28 20:39
本发明专利技术公开了一种通过巯基咪唑掺杂空穴传输层提升反式钙钛矿太阳能电池性能的方法,将巯基咪唑加入SAM前驱体溶液中,随后,在洁净的透明导电基底表面沉积薄膜,获得了2‑MeIM掺杂后的SAM薄膜,即Doped‑HTL,得益于掺杂后空穴传输层(Doped‑HTL)薄膜均匀性,亲水性及电导率的提升,使得沉积在Doped‑HTL表面的钙钛矿(PVK)薄膜质量及Doped‑HTL和PVK界面间的性质得到优化,最终使得基于Doped‑HTL制备的钙钛矿太阳能电池性能得到提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于钙钛矿太阳能电池,具体涉及一种通过巯基咪唑掺杂空穴传输层提升反式钙钛矿太阳能电池性能的方法


技术介绍

1、随着世界能源架构的不断演变,清洁型能源的开发和利用逐渐成为研究重点。相较于其他清洁型能源,例如风能、海潮能等,太阳能则呈现出持续、稳定且丰富的特征,以钙钛矿太阳能电池(pscs)为代表的光伏电池在近些年表现出优异的光电转化效率 (pce)。基于功能层沉积顺序的差异,pscs主要分为正式结构(功能层沉积顺序为:电子传输层(etl)/钙钛矿层(pvk)/空穴传输层(htl))和反式结构(功能层沉积顺序为:htl/pvk/etl)。相较于前者,反式pscs则展示出更好的稳定性及更广阔的应用前景,因此,反式pscs逐渐成为研究热点。目前报道的单结反式pscs的最佳pce(~25%)仍然低于其理论值(~30%),因此,反式pscs的pce仍然存在一定的提升空间。

2、当前,基于自主装单分子(sam)材料为htl的pscs展现出优异的性能。相较于传统的htl材料(例如:ptaa, pedot:pss),基于sam材料制备的htl具有寄生本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种通过巯基咪唑掺杂空穴传输层提升反式钙钛矿太阳能电池性能的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中的透明导电基底为中的透明导电基底为Glass/ITO、Glass/FTO、PEN/ITO、PET/ITO、石墨烯、金属纳米线、碳纳米管、导电聚合物、银、铜或铝薄膜。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2)中的SAM前驱体溶液的浓度为0.5-2.0mg/ml,巯基咪唑的乙醇溶液的浓度为1.0-5.0 mg/ml。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤2)中巯基咪唑的乙醇溶液的体积加入量与SA...

【技术特征摘要】

1.一种通过巯基咪唑掺杂空穴传输层提升反式钙钛矿太阳能电池性能的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中的透明导电基底为中的透明导电基底为glass/ito、glass/fto、pen/ito、pet/ito、石墨烯、金属纳米线、碳纳米管、导电聚合物、银、铜或铝薄膜。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2)中的sam前驱体溶液的浓度为0.5-2.0mg/ml,巯基咪唑的乙醇溶液的浓度为1.0-5.0 mg/ml。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤2)中巯基咪唑的乙醇溶液的体积加入量与sam前驱体溶液的体积比为1-20μl/1ml。...

【专利技术属性】
技术研发人员:王宇严文生宋嘉兴李在房
申请(专利权)人:杭州电子科技大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1