一种细化晶粒及提高畴翻转能力的氧化铪基铁电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种细化晶粒及提高畴翻转能力的氧化铪基铁电薄膜的制备方法，其包括：制备氧化铪基铁电薄膜的前驱体溶液；在柔性衬底表面上旋涂所述前驱体溶液，经干燥、热解后形成预设厚度的干凝胶膜；在高温退火阶段使所述干凝胶膜保持在弯曲状态下经高温热处理后得到氧化铪基铁电薄膜；该方法是以一种制造裂纹的方式减小了氧化铪基铁电薄膜的晶粒尺寸，生成了更多的铁电相，极大地增强了氧化铪基薄膜的畴翻转特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜与器件制备，尤其是涉及一种细化晶粒及提高畴翻转能力的氧化铪基铁电薄膜的制备方法。

技术介绍

1、氧化铪基铁电存储器作为一种新兴的非易失性存储器，以其高速读写、低功耗、高保持性、抗辐射等特性有望突破传统存储结构的发展瓶颈，从而进一步推动存储技术的发展。具有稳定铁电相和可控电畴翻转的氧化铪基铁电薄膜是铁电存储器发挥存储性能的关键。目前关于氧化铪基铁电薄膜的畴翻转行为工作尚未得到充分研究，对提高铁电亚稳相稳定性与电畴可控性的迫切需求，推动了在使用传统制备薄膜方法的基础上与新策略协同作用的研究工作。氧化铪基铁电薄膜的宏观铁电性能主要由薄膜中铁电晶粒的畴结构以及畴翻转性能所决定，研究并有效提高畴翻转行为，揭示铁电薄膜的畴壁运动和畴极化的变化规律，从而为提高铁电薄膜在器件中的性能提供理论依据和指导。

技术实现思路

1、(一)专利技术目的

2、本专利技术的目的是提供一种细化晶粒及提高畴翻转能力的氧化铪基铁电薄膜的制备方法，解决氧化铪基铁电薄膜晶粒尺寸限制及畴翻转稳定性的问题，细化晶粒，提高氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种细化晶粒及提高畴翻转能力的氧化铪基铁电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，包括：

【技术特征摘要】

1.一种细化晶粒及提高畴翻转能力的氧化铪基铁电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜杰，庞靖琳，张彪，杨琼，蒋丽梅，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：