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一种电场调控型硅基微环开关及其制备方法技术

技术编号:41447676 阅读:15 留言:0更新日期:2024-05-28 20:38
本申请涉及集成光学技术领域,具体涉及一种电场调控型硅基微环开关及其制备方法,该电场调控型硅基微环开关包括基底、硅基波导、硅基微环;硅基波导和硅基微环置于基底上,硅基微环置于硅基波导的一侧;该电场调控型硅基微环开关还包括电调控微环、环内导电部、第一电极、第二电极;电调控微环、环内导电部、第一电极和第二电极置于基底上;电调控微环置于硅基微环内,环内导电部置于电调控微环内,第一电极和第二电极置于硅基波导的同侧、硅基微环的两侧。本发明专利技术应用环内导电部聚集电场,使得电调控微环处于更强电场中;应用电光材料的Pockels效应,使得电光材料的折射率改变更多,在集成光学技术领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成光学,具体涉及一种电场调控型硅基微环开关及其制备方法


技术介绍

1、硅基微环开关是一种基于硅光子技术的微型器件,利用硅基微环谐振腔与波导之间的光学耦合原理来实现光信号的调制和开关功能。硅基微环开关的具体应用包括光信号调制、波分复用系统中的信道选择、光信号路由、光信号处理等。这种开关在光通信、光计算和集成光电子学等领域有着广泛的应用。

2、传统实现硅基微环开关的方式有基于热光效应、非线性光学效应、机械效应等(参考文献:silicon microring resonators,laser&photonics reviews,2011,vol.6,pp.47;all-optical logic based on silicon micro-ring resonators,optics express,2007,vol 15,pp.924;sillicon optical modulators,nature photonics,2010,vol.4,pp.518;high-efficiency all-optical modul本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电场调控型硅基微环开关,包括基底、硅基波导、硅基微环,所述硅基波导和所述硅基微环置于所述基底上,所述硅基微环置于所述硅基波导的一侧,其特征在于:还包括电调控微环、环内导电部、第一电极、第二电极,所述电调控微环、所述环内导电部、所述第一电极和所述第二电极置于所述基底上,所述电调控微环置于所述硅基微环内,所述环内导电部置于所述电调控微环内,所述第一电极和所述第二电极置于所述硅基波导的同侧、所述硅基微环的两侧。

2.如权利要求1所述的电场调控型硅基微环开关,其特征在于:所述电调控微环的材料为电光材料。

3.如权利要求2所述的电场调控型硅基微环开关,其特征在于:所...

【技术特征摘要】

1.一种电场调控型硅基微环开关,包括基底、硅基波导、硅基微环,所述硅基波导和所述硅基微环置于所述基底上,所述硅基微环置于所述硅基波导的一侧,其特征在于:还包括电调控微环、环内导电部、第一电极、第二电极,所述电调控微环、所述环内导电部、所述第一电极和所述第二电极置于所述基底上,所述电调控微环置于所述硅基微环内,所述环内导电部置于所述电调控微环内,所述第一电极和所述第二电极置于所述硅基波导的同侧、所述硅基微环的两侧。

2.如权利要求1所述的电场调控型硅基微环开关,其特征在于:所述电调控微环的材料为电光材料。

3.如权利要求2所述的电场调控型硅基微环开关,其特征在于:所述硅基微环和所述电调控微环为圆形,所述电调控微环与所述硅基微环同心。

4.如权利要求3所述的电场调控型硅基微环开关,其特征在于:所述电调控微环外侧面与所述硅基微环内侧面之间的距离大于20纳米、小于2...

【专利技术属性】
技术研发人员:解宜原苏野叶逸琛陈壮江潇李莉莉
申请(专利权)人:西南大学
类型:发明
国别省市:

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