【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及金属靶材制备，具体涉及一种细晶粒银靶材的制备方法。
技术介绍
1、银靶材具有广泛的用途：(1)主要用于制备高纯度银材料，如银箔、银粉等；(2)由于银具有优异的导电性和稳定性，使用银靶材制造的电子元件具有高性能、长寿命和低成本等优点；(3)在电子工业中，银靶材是制造电子元件的重要原料，如集成电路、晶体管和显示器等；(4)银靶材还可用于制造太阳能电池的电极和导电浆料等，提高光电转换效率和降低制造成本；(5)银靶材在珠宝、餐具和艺术品等领域也有着广泛的应用。
2、银靶材的应用主要是通过磁控溅射制备银膜，靶材的晶粒尺寸、结晶取向和致密度等微观组织对磁控溅射薄膜的附着性、沉积率、光电性能等具有较大的影响。靶材的微观组织可以通过均匀化处理、再结晶退火和机械加工等进行调整控制。其中合金化辅以塑性变形加工的方法是获得均匀银靶材组织的重要途径。
3、目前市场上银靶材的晶粒细化主要是通过轧制+再结晶工艺获得，由于轧制的细化效果有限，难以再进一步将银靶的晶粒细化到20μm等级，阻碍了银靶材的技术进步。
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【技术保护点】
1.一种细晶粒银靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种细晶粒银靶材的制备方法，其特征在于，步骤一中的熔炼工艺具体为：将纯度为99.95％的纯银、99.0％的纯铜、99.5％的纯铬,99.0wt.％稀土钇按比例称重，银和稀土钇先放入在中频感应坩埚中熔炼。
3.根据权利要求2所述的一种细晶粒银靶材的制备方法，其特征在于，步骤一中的熔炼工艺时的熔炼温度控制在1160℃-1180℃。
4.根据权利要求1所述的一种细晶粒银靶材的制备方法，其特征在于，步骤二中的均匀化退火工艺的温度设定在800℃，保温时间为2-...
【技术特征摘要】
1.一种细晶粒银靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种细晶粒银靶材的制备方法，其特征在于，步骤一中的熔炼工艺具体为：将纯度为99.95％的纯银、99.0％的纯铜、99.5％的纯铬,99.0wt.％稀土钇按比例称重，银和稀土钇先放入在中频感应坩埚中熔炼。
3.根据权利要求2所述的一种细晶粒银靶材的制备方法，其特征在于，步骤一中的熔炼工艺时的熔炼温度控制在1160℃-1180℃。
4.根据权利要求1所述的一种细晶粒银靶材的制备方法，其特征在于，步骤二中的均匀化退火工艺的温度设定在800℃，保温时间为2-3小时，随后炉冷。
5.根据权利要求1所述的一种细晶粒银靶材的制备方法，其特征在于，步骤二中的多道次折角挤压工艺采用垂直向下挤压模式，折角为120°，挤压...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗永春，王朦朦，黄仲佳，吴贤春，孙宇峰，
申请(专利权)人：安徽众立新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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