一种中空纳米材料的制备方法、中空纳米材料及室温二氧化氮传感器技术

技术编号:41444927 阅读:18 留言:0更新日期:2024-05-28 20:36
本申请公开了一种中空纳米材料的制备方法、中空纳米材料及室温二氧化氮传感器,所述制备方法包括:将含有铟类化合物、有机酸、溶剂的混合物,反应、退火,得到所述中空纳米材料。本申请基于三氧化二铟中空纳米材料的二氧化氮传感器具有高灵敏度、高选择性,且重复性强、稳定性好,大大降低了传感器使用过程中的功耗,提高了传感器使用的便携性,对于本技术领域具有重要的实践和研究价值。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种中空纳米材料的制备方法、中空纳米材料及室温二氧化氮传感器,属于气体传感器。


技术介绍

1、二氧化氮是大气中最有毒的气体之一,它是一种红棕色气体,具有特有的刺鼻气味。由于这种气体对人体健康和环境的有害影响,人们对监测这种气体并降低其浓度很感兴趣。二氧化氮主要来自工业废气、发电厂、石油化工厂、车辆和实验室。它可以产生光化学污染和酸雨,对眼睛和肺部有刺激作用、引起呼吸系统疾病、削弱免疫系统,甚至死亡。

2、根据世界卫生组织和欧洲空气质量委员会的标准规定,二氧化氮每小时的平均值一年内不得超过0.1ppm 18次,而二氧化氮年平均值不得超过0.02ppm。环境中的二氧化氮浓度在ppb量级,难以检测。为此,人们对于不同类型的设备进行了大量的研究,试图获得灵敏度高,稳定性好的二氧化氮传感器。基于金属氧化物半导体的二氧化氮化学气体传感器具有制造成本低、操作简单、灵敏度高、稳定性好、与硅技术兼容性好等优点,具有广阔的应用前景。

3、现有的半导体金属氧化物材料二氧化氮传感器,具有灵敏度低、选择性差、响应和回复时间长的缺陷,不能实现在室温下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种中空纳米材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述铟类化合物选自硝酸铟、氯化铟、硫酸铟中的至少一种;

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述有机酸与所述铟类化合物的摩尔比为1:0.01~9.9;

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述反应的温度为50~300℃,反应的时间为10~100min。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述退火的温度为100~500℃,退火的时间为1~8h。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,...

【技术特征摘要】

1.一种中空纳米材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述铟类化合物选自硝酸铟、氯化铟、硫酸铟中的至少一种;

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述有机酸与所述铟类化合物的摩尔比为1:0.01~9.9;

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述反应的温度为50~300℃,反应的时间为10~100min。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述退火的温度为100~500℃,退火的时间为1~8h。

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【专利技术属性】
技术研发人员:孟虎冯亮
申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
类型:发明
国别省市:

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