半导体封装工艺中高温抗氧化传输基板轨道制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装工艺中高温抗氧化传输基板轨道，涉及半导体封装技术领域，其技术方案要点是：包括导轨底板和气体保护上盖板，且两者之间形成充满保护气体的加热腔体，气体保护上盖板上开设有共晶窗口，气体保护上盖板通过若干输气管朝向加热腔体内输入保护气体，保护气体的温度大于外部空气的温度，保护气体的密度小于外部空气的密度，导轨底板上开设有若干通槽，通槽内滑动连接有输送件，输送件从导轨底板的底部伸入到加热腔体内，通槽处的保护气体朝向气体保护上盖板流动，通槽处的外部空气朝向远离导轨底板的方向流动。本发明专利技术通过结构的设置，使得基板在加热腔体内进行移动时，外部空气与内部保护气体不易产生对流，防止基板氧化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装，更具体地说，它涉及一种半导体封装工艺中高温抗氧化传输基板轨道。

技术介绍

1、目前在半导体的封装过程中，半导体芯片需要在高温下和高纯度保护气体的保护中，与基板进行共晶工艺焊接，这个过程是在充满保护气体的准封闭加热轨道中进行的，同时需要在加热轨道中传输基板，基板的移动传输是通过拨针穿过加热轨道的封气板和气体保护上盖板，并接触基板侧边缘的定位孔，来拨动基板进行平行移动的。

2、在现有技术中，由于气体保护上盖板的上方具有几个用于让拨针穿入的长条型的穿孔，使其周围不能分布用于喷出保护气体的气孔，导致这个部位气密性较差，虽然在穿孔处设有封气板，但是因为拨针需要带动封气板在气体保护上盖板上进行移动，所以这三者之间的配合会存在一定的间隙，导致气体保护上盖板内的加热气体与封气板外上方含氧气的冷空气容易产生对流，且因为间隙距离保护腔体比较近，所以基板经过时，容易氧化，使得共晶性能下降，影响良品率。

3、并且目前为了避免基板氧化，保护气体会采用还原气体氢气，可在外部冷空气进入加热轨道内时，将氧气还原成水，还原出的水在加热轨道内本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装工艺中高温抗氧化传输基板轨道，包括导轨底板(1)和设置于其上方的气体保护上盖板(2)，所述导轨底板(1)与所述气体保护上盖板(2)之间形成加热腔体，所述加热腔体内充满保护气体，所述气体保护上盖板(2)上开设有共晶窗口(3)，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺中高温抗氧化传输基板轨道，其特征在于：所述导轨底板(1)上固定连接有位于所述加热腔体内的加热底板(7)和基板后挡条(8)，所述加热底板(7)和所述基板后挡条(8)分别位于所述加热腔体宽度方向的两侧，所述基板后挡条(8)位于所述通槽(5)的上方，所述基板后挡条(8)上开设有将其贯穿且截...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装工艺中高温抗氧化传输基板轨道，包括导轨底板(1)和设置于其上方的气体保护上盖板(2)，所述导轨底板(1)与所述气体保护上盖板(2)之间形成加热腔体，所述加热腔体内充满保护气体，所述气体保护上盖板(2)上开设有共晶窗口(3)，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装工艺中高温抗氧化传输基板轨道，其特征在于：所述导轨底板(1)上固定连接有位于所述加热腔体内的加热底板(7)和基板后挡条(8)，所述加热底板(7)和所述基板后挡条(8)分别位于所述加热腔体宽度方向的两侧，所述基板后挡条(8)位于所述通槽(5)的上方，所述基板后挡条(8)上开设有将其贯穿且截面呈l字形的若干滑槽(9)，所述滑槽(9)的一端与所述通槽(5)对齐，所述输送件(6)伸入所述滑槽(9)朝向所述通槽(5)的一端内且从所述滑槽(9)的另一端穿出。

3.根据权利要求2所述的一种半导体封装工艺中高温抗氧化传输基板轨道，其特征在于：一条所述通槽(5)的上方设有若干封气板(10)，若干所述封气板(10)位于所述基板后挡条(8)的下方且与所述加热底板(7)的侧壁相抵，所述输送件(6)贯穿若干所述封气板(10)。

4.根据权利要求3所述的一种半导体封装工艺中高温抗氧化传输基板轨道，其特征在于：所述气体保护上盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：许军，黄火德，黄启良，黄啟润，
申请(专利权)人：江苏慧乔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：