本发明专利技术涉及一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用，该材料的化学式为(C<subgt;5</subgt;H<subgt;7</subgt;N<subgt;2</subgt;)(Sb<subgt;2</subgt;F<subgt;7</subgt;)，属于单斜晶系，其空间群为Pn(No.7)，晶胞参数为α＝90°，β＝102.44°～102.64°，γ＝90°，Z＝2，晶胞体积为与现有技术相比，本发明专利技术的二阶非线性光学晶体材料(C<subgt;5</subgt;H<subgt;7</subgt;N<subgt;2</subgt;)(Sb<subgt;2</subgt;F<subgt;7</subgt;)在1064nm激光照射下的粉末倍频效应约为KH<subgt;2</subgt;PO<subgt;4</subgt;(KDP)晶体的2倍，且能实现相位匹配。此外，该晶体材料具有较宽的透光波段，物化性能稳定，机械硬度适中，产率高，易于生长等优点，在激光频率转换、光信息存储、电光调制等光电信息领域具有重要的应用价值。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于非线性光学晶体材料，涉及一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用。
技术介绍
1、具有二次谐波产生(second harmonic generation，shg)特性的非线性光学(nonlinear optical，nlo)晶体材料作为一类光电功能材料，被广泛应用于高分辨率显微成像、精密制造、光刻和光通信等前沿光学和光电
目前，商业化的nlo晶体材料主要集中在可见光和近红外区域，如β-bab2o4(bbo)、kh2po4(kdp)、ktiopo4(ktp)和linbo3(ln)等。然而，可应用于紫外波段的高性能nlo晶体材料仍然匮乏，因此，开发适用于短波紫外区域的高性能nlo晶体材料具有重要的科学意义和应用价值。
2、传统的紫外nlo晶体由无机功能基元构成，其光学性能受到固有组成限制。通常来说，研究人员会选择没有d-d和f-f电子跃迁的碱金属或者碱土金属来作为a位阳离子，以确保化合物的截止边不会发生红移。然而，a位阳离子对晶体的倍频和双折射没有贡献，阻碍了光学晶体性能的进一步提高。
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【技术保护点】
1.一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料，其特征在于，其化学式为(C5H7N2)(Sb2F7)，属于单斜晶系，其空间群为Pn(No.7)，晶胞参数为α＝90°，β＝102.44°～102.64°，γ＝90°，Z＝2，晶胞体积为
2.如权利要求1所述的一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述有机源为4-氨基吡啶。
4.根据权利要求2所述的一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述锑源为三氧化二锑...
【技术特征摘要】
1.一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料，其特征在于，其化学式为(c5h7n2)(sb2f7)，属于单斜晶系，其空间群为pn(no.7)，晶胞参数为α＝90°，β＝102.44°～102.64°，γ＝90°，z＝2，晶胞体积为
2.如权利要求1所述的一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述有机源为4-氨基吡啶。
4.根据权利要求2所述的一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述锑源为三氧化二锑。
5.根据权利要求2所述的一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料的制备方法，其特征在于，所述氟源为氢氟酸。
6.根据权利要求2所述的一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：张弛，齐鲁，吴超，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：
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